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    AOS Mosfet场效应管 AOD4185L 起订8个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD4185L 起订8个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD4185L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2550pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ443EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2030pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7655DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7655DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7655DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:225nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0905PNSATMA1 起订874个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0905PNSATMA1 起订874个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":9858}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0905PNSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:1.9V@105µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3190pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR403EDP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR403EDP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR403EDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€56.8W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:153nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4620pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.5mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7655DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7655DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7655DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:225nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR403EDP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR403EDP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR403EDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€56.8W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:153nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4620pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.5mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP102-TL-H 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP102-TL-H 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP102-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:40W

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:18.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7655ADN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7655ADN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7655ADN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:225nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD4185 起订8个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD4185 起订8个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD4185

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€62.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2550pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ443EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2030pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7655DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7655DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7655DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:225nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR403EDP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR403EDP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR403EDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€56.8W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:153nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4620pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.5mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7139DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7139DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7139DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:146nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR403EDP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR403EDP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR403EDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€56.8W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:153nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4620pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.5mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD4185 起订5000个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD4185 起订5000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD4185

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€62.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2550pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD4185 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD4185 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD4185

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€62.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2550pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T2_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T2_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ443EP-T2_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2030pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7655ADN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7655ADN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7655ADN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:225nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0905PNSATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0905PNSATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":9858}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0905PNSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:1.9V@105µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3190pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ40S04M3L,LXHQ 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ40S04M3L,LXHQ 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TJ40S04M3L,LXHQ

    工作温度:175℃

    功率:68W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4140pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ443EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2030pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7655ADN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7655ADN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7655ADN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:225nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ443EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2030pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7655DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7655DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7655DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:225nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40P10-40L_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40P10-40L_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM40P10-40L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:134nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5295pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@17A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7139DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7139DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7139DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:146nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T2_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T2_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ443EP-T2_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2030pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD4189 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD4189 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD4189

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€62.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:22mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN9R614MC,L1XHQ 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN9R614MC,L1XHQ 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XPN9R614MC,L1XHQ

    工作温度:175℃

    功率:840mW€100W

    阈值电压:2.1V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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