品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P03-07_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:146nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5490pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7149ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5125pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD45P03-12_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3495pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7149DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4590pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7149DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4590pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD45P03-12_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3495pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD45P03-12_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3495pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD45P03-12_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3495pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7149DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4590pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD45P03-12_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3495pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P03-07_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:146nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5490pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7149ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5125pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS427EDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1930pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:10.6mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7149ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5125pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P03-07_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:146nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5490pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP50P03YDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1W€102W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.4mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7149DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4590pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7149ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5125pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7149ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5125pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7149DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4590pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P03-07_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:146nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5490pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS427EDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1930pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:10.6mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7149DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4590pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS427EDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1930pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:10.6mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD45P03-12_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3495pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD45P03-12_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3495pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7149DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4590pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS427EDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1930pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:10.6mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS427EDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1930pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:10.6mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7149DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4590pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: