采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：151765}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1H
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMLDM8120G TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
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输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMLDM8120G TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMLDM8120G TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1131
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1305DL-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：450mV@250µA
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：7323，"08+"：1037，"20+"：24000，"22+"：448000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMLDM8120G TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMLDM8120G TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMLDM8120G TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMLDM8120G TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：151765}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1H
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
