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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7465DP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
导通电阻：64mΩ@5A，10V
连续漏极电流：3.2A
栅极电荷：40nC@10V
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7465DP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
连续漏极电流：3.2A
栅极电荷：40nC@10V
漏源电压：60V
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@5A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4401BDY-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
功率：2.9W
类型：P-Channel
连续漏极电流：8.7A
导通电阻：14mΩ
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4401BDY-T1-E3
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
功率：1.5W
连续漏极电流：8.7A
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7421DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
栅极电荷：40nC@10V
导通电阻：25mΩ@9.8A，10V
类型：P沟道
连续漏极电流：6.4A
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7465DP-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
连续漏极电流：3.2A
栅极电荷：40nC@10V
漏源电压：60V
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@5A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7465DP-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
导通电阻：64mΩ@5A，10V
连续漏极电流：3.2A
栅极电荷：40nC@10V
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431BDY-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
漏源电压：30V
栅极电荷：20nC@5V
连续漏极电流：5.7A
导通电阻：30mΩ@7.5A，10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4413ADY-T1-E3
连续漏极电流：10.5A
栅极电荷：95nC@5V
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7465DP-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
连续漏极电流：3.2A
栅极电荷：40nC@10V
漏源电压：60V
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@5A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4401BDY-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
功率：1.5W
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
类型：P沟道
连续漏极电流：8.7A
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7421DN-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
栅极电荷：40nC@10V
导通电阻：25mΩ@9.8A，10V
类型：P沟道
连续漏极电流：6.4A
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425BDY-T1-GE3
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
导通电阻：12mΩ@11.4A，10V
连续漏极电流：8.8A
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7415DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
功率：1.5W
漏源电压：60V
栅极电荷：25nC@10V
类型：P沟道
连续漏极电流：3.6A
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7415DN-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
功率：1.5W
漏源电压：60V
栅极电荷：25nC@10V
类型：P沟道
连续漏极电流：3.6A
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7415DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
功率：1.5W
漏源电压：60V
栅极电荷：25nC@10V
类型：P沟道
连续漏极电流：3.6A
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7415DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
功率：1.5W
连续漏极电流：3.6A
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7465DP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
导通电阻：64mΩ@5A，10V
连续漏极电流：3.2A
栅极电荷：40nC@10V
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431BDY-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
漏源电压：30V
栅极电荷：20nC@5V
连续漏极电流：5.7A
导通电阻：30mΩ@7.5A，10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SSS-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
导通电阻：110mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
类型：P沟道
输入电容：1030pF@30V
阈值电压：3V@250µA
连续漏极电流：4.5A
栅极电荷：19.4nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4401BDY-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
功率：1.5W
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
类型：P沟道
连续漏极电流：8.7A
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7415DN-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
功率：1.5W
漏源电压：60V
栅极电荷：25nC@10V
类型：P沟道
连续漏极电流：3.6A
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4401BDY-T1-GE3
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
功率：1.5W
连续漏极电流：8.7A
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SSS-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
导通电阻：110mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
类型：P沟道
输入电容：1030pF@30V
阈值电压：3V@250µA
连续漏极电流：4.5A
栅极电荷：19.4nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7415DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
功率：1.5W
漏源电压：60V
栅极电荷：25nC@10V
类型：P沟道
连续漏极电流：3.6A
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SSS-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
导通电阻：110mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
类型：P沟道
输入电容：1030pF@30V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
连续漏极电流：4.5A
栅极电荷：19.4nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7415DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7423DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7.4A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@11.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SL3407-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7415DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
