采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFHS9301TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.4V@25µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：6A€13A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFHS9301TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：6A€13A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1005UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2475pF@6V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6409
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1005UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2475pF@6V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH4013SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4004pF@20V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH4013SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4004pF@20V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH4023SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1091pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1005UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2475pF@6V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6409A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@10V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@5.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH4023SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1091pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM600P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH4013SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4004pF@20V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFHS9301TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：6A€13A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1005UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2475pF@6V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5069}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFHS9301TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：6A€13A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH4013SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4004pF@20V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFHS9301TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.4V@25µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：6A€13A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFHS9301TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：6A€13A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM600P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH4013SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4004pF@20V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH4013SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4004pF@20V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFHS9301TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：6A€13A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFHS9301TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：6A€13A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4463AP-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFHS9301TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：6A€13A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
