采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1005UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2475pF@6V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6409
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1005UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2475pF@6V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1005UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2475pF@6V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1005UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2475pF@6V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6409
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：AO6409
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP1005UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2475pF@6V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP1005UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2475pF@6V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6409
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP1005UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2475pF@6V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1005UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2475pF@6V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP1005UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2475pF@6V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1005UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2475pF@6V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1005UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2475pF@6V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1005UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2475pF@6V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1005UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2475pF@6V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1005UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2475pF@6V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1005UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2475pF@6V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6409
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1005UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2475pF@6V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1005UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2475pF@6V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1005UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2475pF@6V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1005UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2475pF@6V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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