品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5411EDU-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:105nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@6V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:8.2mΩ@6A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5411EDU-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:105nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@6V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:8.2mΩ@6A,4.5V
漏源电压:12V
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5411EDU-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:105nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@6V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:8.2mΩ@6A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
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