采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04LDCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：966pF@20V
连续漏极电流：8A€37A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT090N06D52
工作温度：-55℃~150℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1011pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04LDCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：966pF@20V
连续漏极电流：8A€37A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04LDCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：966pF@20V
连续漏极电流：8A€37A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KDW_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04LDCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：966pF@20V
连续漏极电流：8A€37A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2N7002AKDCU6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.5Ω@220mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2N7002AKDCU6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.5Ω@220mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4848P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€33W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@20V
连续漏极电流：9A€37A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4848P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€33W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@20V
连续漏极电流：9A€37A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04LDCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：966pF@20V
连续漏极电流：8A€37A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04LDCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：966pF@20V
连续漏极电流：8A€37A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2N7002AKDCU6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.5Ω@220mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4848P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€33W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@20V
连续漏极电流：9A€37A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4848P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€33W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@20V
连续漏极电流：9A€37A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KDW-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4848P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€33W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@20V
连续漏极电流：9A€37A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KDW_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT090N06D52
工作温度：-55℃~150℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1011pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2N7002AKDCU6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.5Ω@220mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2N7002AKDCU6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.5Ω@220mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT090N06D52
工作温度：-55℃~150℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1011pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4848P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€33W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@20V
连续漏极电流：9A€37A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04LDCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：966pF@20V
连续漏极电流：8A€37A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2N7002AKDCU6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.5Ω@220mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KDW_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KDW_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KDW_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
