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    包装方式: 卷带(TR)
    类型: 2N沟道(双)
    行业应用: 汽车
    漏源电压: 25V
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:100+
    商品信息
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    onsemi Mosfet场效应管 FDG6301N-F085P
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6301N-F085P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":3000,"19+":3000,"20+":51000,"21+":207295}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6301N-F085P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.5pF@10V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4Ω@220mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2583
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6303N
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6303N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6303N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:680mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ328DT-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ328DT-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ328DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€15W€3.6W€16.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@10V€600pF@10V

    连续漏极电流:11.1A€25.3A€15A€30A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ322DT-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ322DT-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ322DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:16.7W

    阈值电压:2.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@12.5V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6.35mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6301N
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6301N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6301N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.5pF@10V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4Ω@400mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6303N
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6303N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6303N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ926DT-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ926DT-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ926DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20.2W€40W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:925pF@10V€2150pF@10V

    连续漏极电流:40A€60A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDMB3900AN 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMB3900AN 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMB3900AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:890pF@13V

    连续漏极电流:7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:23mΩ@7A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6301UDW-13 起订36个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6301UDW-13 起订36个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6301UDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27.9pF@10V

    连续漏极电流:240mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4Ω@400mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4952DY-T1-GE3 起订13个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4952DY-T1-GE3 起订13个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4952DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@13V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:23mΩ@7A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ322DT-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ322DT-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ322DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:16.7W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@12.5V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6.35mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6303N
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6303N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6303N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:680mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6301N
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6301N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6301N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.5pF@10V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4Ω@400mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ328DT-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ328DT-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ328DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€15W€3.6W€16.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@10V€600pF@10V

    连续漏极电流:11.1A€25.3A€15A€30A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6303N
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6303N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6303N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:680mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6301UDW-7 起订31个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6301UDW-7 起订31个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6301UDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27.9pF@10V

    连续漏极电流:240mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4Ω@400mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ926DT-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ926DT-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ926DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20.2W€40W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:925pF@10V€2150pF@10V

    连续漏极电流:40A€60A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6303N 起订6000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6303N 起订6000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6303N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:680mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ926DT-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ926DT-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ926DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20.2W€40W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:925pF@10V€2150pF@10V

    连续漏极电流:40A€60A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ926DT-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ926DT-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ926DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20.2W€40W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:925pF@10V€2150pF@10V

    连续漏极电流:40A€60A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6301N 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6301N 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6301N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.5pF@10V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4Ω@220mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6301UDW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6301UDW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:22+

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6301UDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27.9pF@10V

    连续漏极电流:240mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4Ω@400mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6303N
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6303N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6303N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:680mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6301N
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6301N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6301N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.5pF@10V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4Ω@220mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6301N 起订21000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6301N 起订21000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6301N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.5pF@10V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4Ω@400mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:21000
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6301N 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6301N 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6301N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.5pF@10V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4Ω@220mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6303N 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6303N 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6303N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6301N
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6301N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6301N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.5pF@10V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4Ω@220mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    加购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6301UDW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6301UDW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:22+

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6301UDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27.9pF@10V

    连续漏极电流:240mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4Ω@400mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    TI Mosfet场效应管 CSD86311W1723 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD86311W1723 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD86311W1723

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:585pF@12.5V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:39mΩ@2A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
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