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    品牌: ON SEMI
    包装方式: 卷带(TR)
    类型: 2N沟道(双)
    阈值电压: 2.5V@250µA
    当前匹配商品:100+
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    onsemi Mosfet场效应管 NDC7002N
    onsemi Mosfet场效应管 NDC7002N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDC7002N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@25V

    连续漏极电流:510mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2Ω@510mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002V
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002V

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:280mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G-M06
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G-M06

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJD5121NT1G-M06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    onsemi Mosfet场效应管 NDC7002N
    onsemi Mosfet场效应管 NDC7002N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDC7002N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@25V

    连续漏极电流:510mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2Ω@510mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD5110NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD5110NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD5110NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:294mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    onsemi Mosfet场效应管 NVMD6N03R2G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMD6N03R2G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":4915}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMD6N03R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.29W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@24V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:32mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1188
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8984
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8984

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8984

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:23mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G-M06
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G-M06

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJD5121NT1G-M06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD5121NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD5121NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD5121NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:40
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G-M06
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G-M06

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJD5121NT1G-M06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G-M06
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G-M06

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJD5121NT1G-M06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002V
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002V

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:280mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD5121NT2G
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD5121NT2G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":3000,"22+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD5121NT2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5556
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJD5121NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD5121NT2G
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD5121NT2G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD5121NT2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NDC7002N
    onsemi Mosfet场效应管 NDC7002N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDC7002N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@25V

    连续漏极电流:510mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2Ω@510mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJD5121NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8984
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8984

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8984

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:23mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD5121NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD5121NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD5121NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002V
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002V

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:280mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002V
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002V

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:280mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G-M06
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G-M06

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJD5121NT1G-M06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8984
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8984

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8984

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:23mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJD5121NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002V
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002V

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:280mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD5121NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD5121NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD5121NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD6N03R2 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD6N03R2 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":1250,"05+":49800,"MI+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMD6N03R2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.29W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@24V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:32mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD5121NT1G 起订19个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD5121NT1G 起订19个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD5121NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:19
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8984
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8984

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8984

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:23mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJD5121NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:14
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