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    包装方式: 卷带(TR)
    类型: 2N沟道(双)
    工作温度: -55℃~175℃
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:3400+
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    INFINEON Mosfet场效应管 BSC076N04NDATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC076N04NDATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC076N04NDATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.3W€65W

    阈值电压:4V@30µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@20V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.6mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5866A-AU_R2_000A1 起订2个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5866A-AU_R2_000A1 起订2个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5866A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W€68.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1574pF@25V

    连续漏极电流:7A€40A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:17mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C650NLWFT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C650NLWFT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C650NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€125W

    阈值电压:2.2V@98µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2546pF@25V

    连续漏极电流:21A€111A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFN8459TR 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFN8459TR 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRFN8459TR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:3.9V@50µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.9mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C680NLT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C680NLT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C680NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€19W

    阈值电压:2.2V@13µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:7.5A€26A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:28mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB00EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB00EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB00EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ910EL-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ910EL-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ910EL-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:187W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2832pF@50V

    连续漏极电流:70A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K5R6-30EX 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K5R6-30EX 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K5R6-30EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:64W

    阈值电压:2.1V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2480pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.8mΩ@10A,5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S4L08AATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S4L08AATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N04S4L08AATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:54W

    阈值电压:2.2V@22µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3050pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:8.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ914EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ914EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ914EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:12mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04DCR RLG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04DCR RLG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM150NB04DCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1135pF@20V

    连续漏极电流:9A€39A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS944ENW-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS944ENW-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS944ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@1.25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C466NLT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C466NLT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C466NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€40W

    阈值电压:2.2V@30µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:997pF@25V

    连续漏极电流:14A€52A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL8DN10LF3 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STL8DN10LF3 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL8DN10LF3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:70W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:970pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:35mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ960EP-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ960EP-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ960EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:34W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:735pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:36mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ990EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ990EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ990EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1390pF@25V€650pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ968EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ968EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ968EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:714pF@30V

    连续漏极电流:23.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:33.6mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C462NT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C462NT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C462NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€50W

    阈值电压:3.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@25V

    连续漏极电流:17.6A€70A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC155N06NDATMA1 起订510个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC155N06NDATMA1 起订510个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":35000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC155N06NDATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@20µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@30V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15.5mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC155N06NDATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC155N06NDATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC155N06NDATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@20µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@30V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15.5mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD5C674NLT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD5C674NLT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFD5C674NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€37W

    阈值电压:2.2V@25µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:11A€42A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:14.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL15DN4F5 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STL15DN4F5 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL15DN4F5

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1550pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:9mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA2 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA2 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S4L11ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.2V@28µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4020pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L26AATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L26AATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S4L26AATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:2.2V@10µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1430pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:26mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S2L35ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S2L35ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S2L35ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2V@27µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:790pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:35mΩ@15A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ9945BEY-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ9945BEY-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ9945BEY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@25V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:64mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S4L11ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.2V@28µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4020pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S4L08ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S4L08ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N04S4L08ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:54W

    阈值电压:2.2V@22µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3050pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:8.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1922AEEH-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1922AEEH-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1922AEEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:850mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:300mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC072N04LDATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC072N04LDATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC072N04LDATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.2V@30µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3990pF@20V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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