采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4816BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.8A€8.2A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：18.5mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86360Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：13W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@12.5
连续漏极电流：50A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87331Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V€1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：518pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86356Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：1.85V@250µA€1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12.5V€2510pF@12.5V
连续漏极电流：40A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4816BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.8A€8.2A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：18.5mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86360Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：13W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@12.5
连续漏极电流：50A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：2125}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0925NDATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8560L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11130pF@30V
连续漏极电流：22A€93A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：3.2mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86360Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：13W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@12.5
连续漏极电流：50A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87330Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87330Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88584Q5DCT
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12400pF@20V
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：0.95mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86350Q5DT
工作温度：-55℃~150℃
功率：13W
阈值电压：2.1V@250µA€1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1870pF@12.5V€4000pF@12.5V
连续漏极电流：40A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4816BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.25W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.8A€8.2A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：18.5mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4599，"23+"：2164}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8540L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7940pF@20V
连续漏极电流：33A€156A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：1.5mΩ@33A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ340DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：16.7W€31W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.5mΩ@15.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4816BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.25W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.8A€8.2A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：18.5mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0925NDATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF906DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W€83W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@15V€8200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：16+
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4618DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.98W€4.16W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1535pF@15V
连续漏极电流：8A€15.2A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：17mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4816BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.25W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.8A€8.2A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：18.5mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ710DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W€48W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@10V
连续漏极电流：16A€35A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：6.8mΩ@19A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SiZ918DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W€100W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@15V
连续漏极电流：16A€28A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：12mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：37880，"23+"：11218}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0925NDATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ340DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：16.7W€31W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.5mΩ@15.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8560L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11130pF@30V
连续漏极电流：22A€93A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：3.2mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87330Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4816BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.25W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.8A€8.2A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：18.5mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87588N
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：736pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87330Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
