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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF906DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W€83W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@15V€8200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ710DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W€48W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@10V
连续漏极电流：16A€35A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：6.8mΩ@19A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SiZ918DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W€100W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@15V
连续漏极电流：16A€28A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：12mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF906DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W€83W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@15V€8200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIZ918DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W€100W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@15V
连续漏极电流：16A€28A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：12mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ902DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W€66W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：12mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIZ710DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W€48W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@10V
连续漏极电流：16A€35A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：6.8mΩ@19A，10V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIZ902DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W€66W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：12mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ918DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W€100W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@15V
连续漏极电流：16A€28A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：12mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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输入电容：790pF@15V
连续漏极电流：16A€28A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：12mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
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功率：29W€66W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：12mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：16A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：12mΩ@13.8A，10V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：27W€48W
阈值电压：2.2V@250µA
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输入电容：820pF@10V
连续漏极电流：16A€35A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：6.8mΩ@19A，10V
漏源电压：20V
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功率：29W€100W
阈值电压：2.2V@250µA
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输入电容：790pF@15V
连续漏极电流：16A€28A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：12mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIZ918DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W€100W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@15V
连续漏极电流：16A€28A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：12mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ918DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W€100W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@15V
连续漏极电流：16A€28A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：12mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF906DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W€83W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@15V€8200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIZ918DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W€100W
阈值电压：2.2V@250µA
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输入电容：790pF@15V
连续漏极电流：16A€28A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：12mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ918DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W€100W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@15V
连续漏极电流：16A€28A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：12mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF906DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W€83W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@15V€8200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF906DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W€83W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@15V€8200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF906DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W€83W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@15V€8200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ918DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W€100W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@15V
连续漏极电流：16A€28A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：12mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ918DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W€100W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@15V
连续漏极电流：16A€28A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：12mΩ@13.8A，10V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ710DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W€48W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@10V
连续漏极电流：16A€35A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：6.8mΩ@19A，10V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：SIZ918DT-T1-GE3
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功率：29W€100W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：16A€28A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：12mΩ@13.8A，10V
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行业应用：工业,汽车
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功率：29W€100W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@15V
连续漏极电流：16A€28A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：12mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ918DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W€100W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@15V
连续漏极电流：16A€28A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：12mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ918DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W€100W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@15V
连续漏极电流：16A€28A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：12mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ902DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W€66W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：12mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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