采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86360Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：13W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@12.5
连续漏极电流：50A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87331Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V€1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：518pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86356Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：1.85V@250µA€1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12.5V€2510pF@12.5V
连续漏极电流：40A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86360Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：13W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@12.5
连续漏极电流：50A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86360Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：13W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@12.5
连续漏极电流：50A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87330Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87330Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86336Q3D
工作温度：-55℃~125℃
功率：6W
阈值电压：1.9V@250µA€1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：494pF@12.5V€970pF@12.5V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88584Q5DCT
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12400pF@20V
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：0.95mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86350Q5DT
工作温度：-55℃~150℃
功率：13W
阈值电压：2.1V@250µA€1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1870pF@12.5V€4000pF@12.5V
连续漏极电流：40A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：500}
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86336Q3DT
工作温度：-55℃~125℃
功率：6W
阈值电压：1.9V@250µA€1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：494pF@12.5V€970pF@12.5V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87330Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87588N
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：736pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87330Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87353Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3190pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87331Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V€1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：518pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87381P
工作温度：-55℃~150℃
功率：4W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：16.3mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87384MT
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：7.7mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86330Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@12.5V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.6mΩ@14A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86360Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：13W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@12.5
连续漏极电流：50A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87330Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87330Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86360Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：13W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@12.5
连续漏极电流：50A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86336Q3DT
工作温度：-55℃~125℃
功率：6W
阈值电压：1.9V@250µA€1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：494pF@12.5V€970pF@12.5V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86360Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：13W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@12.5
连续漏极电流：50A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86360Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：13W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@12.5
连续漏极电流：50A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87381PT
工作温度：-55℃~150℃
功率：4W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：16.3mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87381PT
工作温度：-55℃~150℃
功率：4W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：16.3mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87381PT
工作温度：-55℃~150℃
功率：4W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：16.3mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86350Q5DT
工作温度：-55℃~150℃
功率：13W
阈值电压：2.1V@250µA€1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1870pF@12.5V€4000pF@12.5V
连续漏极电流：40A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
