采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4532AEY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@15V€528pF@15V
连续漏极电流：7.3A€5.3A
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC3021LSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：767pF@10V
连续漏极电流：8.5A€7A
类型：N和P沟道
导通电阻：21mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9952TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@15V
连续漏极电流：3.5A€2.3A
类型：N和P沟道
导通电阻：100mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3590DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.5A€1.7A
类型：N和P沟道
导通电阻：77mΩ@3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM8568CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@15V€1089pF@15V
连续漏极电流：15A€13A
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMC3F31DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608pF@15V
连续漏极电流：6.8A€4.9A
类型：N和P沟道
导通电阻：24mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5504BDC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.12W€3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@15V
连续漏极电流：4A€3.7A
类型：N和P沟道
导通电阻：65mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC3400SDW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@15V
连续漏极电流：650mA€450mA
类型：N和P沟道
导通电阻：400mΩ@590mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1539EH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：48pF@15V€50pF@15V
连续漏极电流：850mA
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC3028LSDX-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@15V
连续漏极电流：5.5A€5.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：27mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC3400SDW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@15V
连续漏极电流：650mA€450mA
类型：N和P沟道
导通电阻：400mΩ@590mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4532AEY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@15V€528pF@15V
连续漏极电流：7.3A€5.3A
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7509TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2.7A€2A
类型：N和P沟道
导通电阻：110mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMC3F31DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608pF@15V
连续漏极电流：6.8A€4.9A
类型：N和P沟道
导通电阻：24mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC31D5UDJ-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22.6pF@15V
连续漏极电流：220mA€200mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3552DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：105mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8858CZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1205pF@15V
连续漏极电流：8.6A€7.3A
类型：N和P沟道
导通电阻：17mΩ@8.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1539EH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：48pF@15V€50pF@15V
连续漏极电流：850mA
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3590DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.5A€1.7A
类型：N和P沟道
导通电阻：77mΩ@3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6333C
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：282pF@15V
连续漏极电流：2.5A€2A
类型：N和P沟道
导通电阻：95mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5504BDC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.12W€3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@15V
连续漏极电流：4A€3.7A
类型：N和P沟道
导通电阻：65mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：2500，"04+"：17500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMC1300R2
工作温度：-65℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@20V
连续漏极电流：2.2A€1.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4532CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.78W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@15V
连续漏极电流：6A€4.3A
类型：N和P沟道
导通电阻：47mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M10FRATB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V€850pF@10V
连续漏极电流：7A€4.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6333C
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：282pF@15V
连续漏极电流：2.5A€2A
类型：N和P沟道
导通电阻：95mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6333C
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：282pF@15V
连续漏极电流：2.5A€2A
类型：N和P沟道
导通电阻：95mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3552DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：105mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9952TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@15V
连续漏极电流：3.5A€2.3A
类型：N和P沟道
导通电阻：100mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
