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    包装方式: 卷带(TR)
    类型: N和P沟道
    功率: 250mW
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    DIODES Mosfet场效应管 DMC2004DWK-7 起订32个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2004DWK-7 起订32个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2004DWK-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA€430mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1029X-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1029X-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1029X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V€23pF@25V

    连续漏极电流:305mA€190mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:1.4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2004DWK-7 起订40个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2004DWK-7 起订40个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2004DWK-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

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    类型:N和P沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMC2004DWK-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2004DWK-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2004DWK-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:250mW

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    类型:N和P沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3155CT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

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    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:540mA€430mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3155CT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

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    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

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    类型:N和P沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3155CT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA€430mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G 起订16个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G 起订16个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3155CT1G

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    功率:250mW

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    类型:N和P沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

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    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G 起订500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3155CT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA€430mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI1035X-T1-GE3 起订1000个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1035X-T1-GE3

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    功率:250mW

    阈值电压:400mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:180mA€145mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,4.5V

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    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G 起订500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3155CT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

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    类型:N和P沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI1029X-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1029X-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1029X-T1-GE3

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    类型:N和P沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT2G 起订12000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT2G 起订12000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3155CT2G

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    类型:N和P沟道

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    DIODES Mosfet场效应管 DMC2004DWK-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2004DWK-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2004DWK-7

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    类型:N和P沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

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    DIODES Mosfet场效应管 DMC2004DWK-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2004DWK-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2004DWK-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:250mW

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    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA€430mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT2G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT2G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3155CT2G

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    功率:250mW

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    类型:N和P沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT2G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT2G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3155CT2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA€430mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI1029X-T1-GE3 起订200个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1029X-T1-GE3 起订200个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1029X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V€23pF@25V

    连续漏极电流:305mA€190mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:1.4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI1035X-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1035X-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1035X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:400mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:180mA€145mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI1016X-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1016X-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1016X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:485mA€370mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI1035X-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1035X-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1035X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:400mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:180mA€145mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMC2004DWK-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2004DWK-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2004DWK-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA€430mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2004DWK-7 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2004DWK-7 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2004DWK-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA€430mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3155CT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA€430mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT2G 起订250个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT2G 起订250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3155CT2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA€430mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1029X-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1029X-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1029X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V€23pF@25V

    连续漏极电流:305mA€190mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:1.4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1035X-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1035X-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1035X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:400mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:180mA€145mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2004DWK-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2004DWK-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2004DWK-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA€430mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1035X-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1035X-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1035X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:400mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:180mA€145mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2004DWK-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2004DWK-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2004DWK-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA€430mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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