采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5618P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：13.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：1.25A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3439_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR315PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@160µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：176pF@25V
连续漏极电流：620mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@620mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3439-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5618P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：13.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：1.25A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR315PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@160µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：176pF@25V
连续漏极电流：620mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@620mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5618P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：1.25A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR315PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@160µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：176pF@25V
连续漏极电流：620mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@620mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR315PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@160µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：176pF@25V
连续漏极电流：620mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@620mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5618P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：13.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：1.25A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR315PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@160µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：176pF@25V
连续漏极电流：620mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@620mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3439-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5618P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：1.25A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5618P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：1.25A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5618P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：1.25A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR315PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@160µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：176pF@25V
连续漏极电流：620mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@620mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR315PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@160µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：176pF@25V
连续漏极电流：620mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@620mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR315PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@160µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：176pF@25V
连续漏极电流：620mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@620mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：4752}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR315PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@160µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：176pF@25V
连续漏极电流：620mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@620mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR315PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@160µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：176pF@25V
连续漏极电流：620mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@620mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3439_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5618P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：1.25A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3439-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR315PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@160µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：176pF@25V
连续漏极电流：620mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@620mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5618P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：13.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：1.25A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3439_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3439_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3439-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR315PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@160µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：176pF@25V
连续漏极电流：620mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@620mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5618P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：13.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：1.25A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
