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    DIODES Mosfet场效应管 DMN3067LW-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3067LW-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3067LW-7

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    输入电容:447pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17484F4T 起订750个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17484F4T 起订750个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):250psc

    规格型号(MPN):CSD17484F4T

    输入电容:195pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:0.2nC@8V

    连续漏极电流:3A

    功率:500mW

    导通电阻:121mΩ@500mA,8V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17585F5 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17585F5 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17585F5

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:5.9A

    阈值电压:1.7V@250µA

    功率:500mW

    导通电阻:27mΩ@900mA,10V

    输入电容:380pF@15V

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN357N 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN357N 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN357N

    连续漏极电流:1.9A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:235pF@10V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:500mW

    栅极电荷:5.9nC@5V

    导通电阻:60mΩ@2.2A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS306NH6327XTSA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS306NH6327XTSA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS306NH6327XTSA1

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:57mΩ@2.3A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:275pF@15V

    类型:N沟道

    阈值电压:2V@11µA

    功率:500mW

    栅极电荷:1.5nC@5V

    连续漏极电流:2.3A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN337N 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN337N 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN337N

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:9nC@4.5V

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:2.2A

    输入电容:300pF@10V

    导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN357N 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN357N 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN357N

    连续漏极电流:1.9A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:235pF@10V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:500mW

    栅极电荷:5.9nC@5V

    导通电阻:60mΩ@2.2A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17484F4T 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17484F4T 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):250psc

    规格型号(MPN):CSD17484F4T

    输入电容:195pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:0.2nC@8V

    连续漏极电流:3A

    功率:500mW

    导通电阻:121mΩ@500mA,8V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17382F4T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17382F4T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):250psc

    规格型号(MPN):CSD17382F4T

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:347pF@15V

    类型:N沟道

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    功率:500mW

    连续漏极电流:2.3A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:64mΩ@500mA,8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17484F4 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17484F4 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17484F4

    输入电容:195pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:1.1V@250µA

    连续漏极电流:3A

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    功率:500mW

    导通电阻:121mΩ@500mA,8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RHP030N03T100 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RHP030N03T100 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RHP030N03T100

    栅极电荷:6.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    输入电容:160pF@10V

    连续漏极电流:3A

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    导通电阻:120mΩ@3A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3067LW-7 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3067LW-7 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3067LW-7

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    输入电容:447pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN357N 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN357N 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"20+":10106,"21+":8405,"22+":26339,"24+":30000,"MI+":2932}

    规格型号(MPN):FDN357N

    连续漏极电流:1.9A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:235pF@10V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:500mW

    栅极电荷:5.9nC@5V

    导通电阻:60mΩ@2.2A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSD316SNH6327XTSA1 起订14个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSD316SNH6327XTSA1 起订14个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSD316SNH6327XTSA1

    阈值电压:2V@3.7µA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:500mW

    输入电容:94pF@15V

    导通电阻:160mΩ@1.4A,10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:1.4A

    栅极电荷:0.6nC@5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR302NL6327HTSA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR302NL6327HTSA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"08+":3000,"21+":20547}

    规格型号(MPN):BSR302NL6327HTSA1

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:500mW

    连续漏极电流:3.7A

    输入电容:750pF@15V

    阈值电压:2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@5V

    导通电阻:23mΩ@3.7A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSD316SNH6327XTSA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSD316SNH6327XTSA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSD316SNH6327XTSA1

    阈值电压:2V@3.7µA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:500mW

    输入电容:94pF@15V

    导通电阻:160mΩ@1.4A,10V

    连续漏极电流:1.4A

    栅极电荷:0.6nC@5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS306NH6327XTSA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS306NH6327XTSA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS306NH6327XTSA1

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:57mΩ@2.3A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:275pF@15V

    类型:N沟道

    阈值电压:2V@11µA

    功率:500mW

    栅极电荷:1.5nC@5V

    连续漏极电流:2.3A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17484F4T 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17484F4T 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):250psc

    规格型号(MPN):CSD17484F4T

    输入电容:195pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:0.2nC@8V

    连续漏极电流:3A

    功率:500mW

    导通电阻:121mΩ@500mA,8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8808DB-T2-E1 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8808DB-T2-E1 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8808DB-T2-E1

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    类型:N沟道

    输入电容:330pF@15V

    连续漏极电流:1.8A

    功率:500mW

    导通电阻:95mΩ@1A,4.5V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359BN 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359BN 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN359BN

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.7A

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:650pF@15V

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@2.7A,10V

    功率:500mW

    栅极电荷:7nC@5V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3067LW-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3067LW-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3067LW-7

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    输入电容:447pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17381F4T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17381F4T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):250psc

    规格型号(MPN):CSD17381F4T

    栅极电荷:1.35nC@4.5V

    输入电容:195pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:3.1A

    阈值电压:1.1V@250µA

    导通电阻:109mΩ@500mA,8V

    功率:500mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS306NH6327XTSA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS306NH6327XTSA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS306NH6327XTSA1

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:57mΩ@2.3A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:275pF@15V

    类型:N沟道

    阈值电压:2V@11µA

    功率:500mW

    栅极电荷:1.5nC@5V

    连续漏极电流:2.3A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359AN 起订15000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359AN 起订15000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN359AN

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.7A

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:480pF@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@2.7A,10V

    功率:500mW

    栅极电荷:7nC@5V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS355AN 起订24000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS355AN 起订24000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS355AN

    输入电容:195pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:85mΩ@1.9A,10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:5nC@5V

    功率:500mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17483F4T 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17483F4T 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):250psc

    规格型号(MPN):CSD17483F4T

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@15V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:1.1V@250µA

    连续漏极电流:1.5A

    功率:500mW

    栅极电荷:1.3nC@4.5V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:240mΩ@500mA,8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS355AN 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS355AN 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS355AN

    输入电容:195pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:85mΩ@1.9A,10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:5nC@5V

    功率:500mW

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4141NT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4141NT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS4141NT1G

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:560pF@24V

    类型:N沟道

    栅极电荷:12nC@10V

    功率:500mW

    导通电阻:25mΩ@7A,10V

    连续漏极电流:3.5A

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RHP030N03T100 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RHP030N03T100 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RHP030N03T100

    栅极电荷:6.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    输入电容:160pF@10V

    连续漏极电流:3A

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    导通电阻:120mΩ@3A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUF4189NZTBG 起订1687个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUF4189NZTBG 起订1687个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUF4189NZTBG

    导通电阻:200mΩ@1.5A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    输入电容:95pF@15V

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:3nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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