品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3067LW-7
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
输入电容:447pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
栅极电荷:4.6nC@4.5V
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD17484F4T
输入电容:195pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.2nC@8V
连续漏极电流:3A
功率:500mW
导通电阻:121mΩ@500mA,8V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17585F5
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:5.9A
阈值电压:1.7V@250µA
功率:500mW
导通电阻:27mΩ@900mA,10V
输入电容:380pF@15V
栅极电荷:5.1nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN357N
连续漏极电流:1.9A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:235pF@10V
阈值电压:2V@250µA
功率:500mW
栅极电荷:5.9nC@5V
导通电阻:60mΩ@2.2A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS306NH6327XTSA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:57mΩ@2.3A,10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:275pF@15V
类型:N沟道
阈值电压:2V@11µA
功率:500mW
栅极电荷:1.5nC@5V
连续漏极电流:2.3A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN337N
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:9nC@4.5V
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:2.2A
输入电容:300pF@10V
导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN357N
连续漏极电流:1.9A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:235pF@10V
阈值电压:2V@250µA
功率:500mW
栅极电荷:5.9nC@5V
导通电阻:60mΩ@2.2A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD17484F4T
输入电容:195pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.2nC@8V
连续漏极电流:3A
功率:500mW
导通电阻:121mΩ@500mA,8V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD17382F4T
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:347pF@15V
类型:N沟道
栅极电荷:2.7nC@4.5V
功率:500mW
连续漏极电流:2.3A
ECCN:EAR99
导通电阻:64mΩ@500mA,8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17484F4
输入电容:195pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.1V@250µA
连续漏极电流:3A
栅极电荷:1.2nC@4.5V
功率:500mW
导通电阻:121mΩ@500mA,8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP030N03T100
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
类型:N沟道
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:3A
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
导通电阻:120mΩ@3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3067LW-7
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
输入电容:447pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
栅极电荷:4.6nC@4.5V
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":10106,"21+":8405,"22+":26339,"24+":30000,"MI+":2932}
规格型号(MPN):FDN357N
连续漏极电流:1.9A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:235pF@10V
阈值电压:2V@250µA
功率:500mW
栅极电荷:5.9nC@5V
导通电阻:60mΩ@2.2A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSD316SNH6327XTSA1
阈值电压:2V@3.7µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:500mW
输入电容:94pF@15V
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:1.4A
栅极电荷:0.6nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"08+":3000,"21+":20547}
规格型号(MPN):BSR302NL6327HTSA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:500mW
连续漏极电流:3.7A
输入电容:750pF@15V
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@5V
导通电阻:23mΩ@3.7A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSD316SNH6327XTSA1
阈值电压:2V@3.7µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:500mW
输入电容:94pF@15V
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
连续漏极电流:1.4A
栅极电荷:0.6nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS306NH6327XTSA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:57mΩ@2.3A,10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:275pF@15V
类型:N沟道
阈值电压:2V@11µA
功率:500mW
栅极电荷:1.5nC@5V
连续漏极电流:2.3A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD17484F4T
输入电容:195pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.2nC@8V
连续漏极电流:3A
功率:500mW
导通电阻:121mΩ@500mA,8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8808DB-T2-E1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
类型:N沟道
输入电容:330pF@15V
连续漏极电流:1.8A
功率:500mW
导通电阻:95mΩ@1A,4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN359BN
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:650pF@15V
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@2.7A,10V
功率:500mW
栅极电荷:7nC@5V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3067LW-7
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
输入电容:447pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
栅极电荷:4.6nC@4.5V
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD17381F4T
栅极电荷:1.35nC@4.5V
输入电容:195pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:3.1A
阈值电压:1.1V@250µA
导通电阻:109mΩ@500mA,8V
功率:500mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS306NH6327XTSA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:57mΩ@2.3A,10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:275pF@15V
类型:N沟道
阈值电压:2V@11µA
功率:500mW
栅极电荷:1.5nC@5V
连续漏极电流:2.3A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN359AN
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:480pF@10V
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@2.7A,10V
功率:500mW
栅极电荷:7nC@5V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS355AN
输入电容:195pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:85mΩ@1.9A,10V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:5nC@5V
功率:500mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD17483F4T
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.1V@250µA
连续漏极电流:1.5A
功率:500mW
栅极电荷:1.3nC@4.5V
ECCN:EAR99
导通电阻:240mΩ@500mA,8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS355AN
输入电容:195pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:85mΩ@1.9A,10V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:5nC@5V
功率:500mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS4141NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:560pF@24V
类型:N沟道
栅极电荷:12nC@10V
功率:500mW
导通电阻:25mΩ@7A,10V
连续漏极电流:3.5A
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP030N03T100
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
类型:N沟道
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:3A
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
导通电阻:120mΩ@3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUF4189NZTBG
导通电阻:200mΩ@1.5A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
输入电容:95pF@15V
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: