品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3030SN-7
功率:500mW
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@400mA,10V
漏源电压:30V
阈值电压:3V@1mA
连续漏极电流:700mA
工作温度:-65℃~150℃
输入电容:160pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3030SN-7
功率:500mW
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@400mA,10V
漏源电压:30V
阈值电压:3V@1mA
连续漏极电流:700mA
工作温度:-65℃~150℃
输入电容:160pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN358P
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:182pF@15V
连续漏极电流:1.5A
功率:500mW
类型:P沟道
栅极电荷:5.6nC@10V
导通电阻:125mΩ@1.5A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J402TU,LF
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:117mΩ@1A,10V
工作温度:150℃
阈值电压:2.6V@1mA
连续漏极电流:2A
功率:500mW
类型:P沟道
ECCN:EAR99
输入电容:280pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3030SN-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:3V@1mA
连续漏极电流:700mA
工作温度:-65℃~150℃
输入电容:160pF@10V
功率:500mW
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@400mA,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN352AP
栅极电荷:1.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
功率:500mW
类型:P沟道
输入电容:150pF@15V
连续漏极电流:1.3A
ECCN:EAR99
导通电阻:180mΩ@1.3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J402TU,LF
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:117mΩ@1A,10V
工作温度:150℃
阈值电压:2.6V@1mA
连续漏极电流:2A
功率:500mW
类型:P沟道
ECCN:EAR99
输入电容:280pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS314PEH6327XTSA1
阈值电压:2V@6.3µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:140mΩ@1.5A,10V
输入电容:294pF@15V
连续漏极电流:1.5A
功率:500mW
栅极电荷:2.9nC@10V
类型:P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN352AP
栅极电荷:1.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
功率:500mW
类型:P沟道
输入电容:150pF@15V
连续漏极电流:1.3A
ECCN:EAR99
导通电阻:180mΩ@1.3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS308PEH6327XTSA1
输入电容:500pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:80mΩ@2A,10V
连续漏极电流:2A
阈值电压:2V@11µA
功率:500mW
类型:P沟道
栅极电荷:5nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN358P
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:182pF@15V
连续漏极电流:1.5A
功率:500mW
类型:P沟道
栅极电荷:5.6nC@10V
导通电阻:125mΩ@1.5A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP152A11E5MR-G
功率:500mW
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@400mA,10V
漏源电压:30V
工作温度:150℃
连续漏极电流:700mA
输入电容:160pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J214FE(TE85L,F
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
输入电容:560pF@15V
功率:500mW
栅极电荷:7.9nC@4.5V
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3A,10V
阈值电压:1.2V@1mA
连续漏极电流:3.6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS314PEH6327XTSA1
阈值电压:2V@6.3µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:140mΩ@1.5A,10V
输入电容:294pF@15V
连续漏极电流:1.5A
功率:500mW
栅极电荷:2.9nC@10V
类型:P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS315PH6327XTSA1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:282pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:150mΩ@1.5A,10V
阈值电压:2V@11µA
连续漏极电流:1.5A
功率:500mW
类型:P沟道
栅极电荷:2.3nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP152A11E5MR-G
功率:500mW
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@400mA,10V
漏源电压:30V
工作温度:150℃
连续漏极电流:700mA
输入电容:160pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS308PEH6327XTSA1
输入电容:500pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:80mΩ@2A,10V
连续漏极电流:2A
阈值电压:2V@11µA
功率:500mW
类型:P沟道
栅极电荷:5nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D5SFB-7B
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:400mA
功率:500mW
类型:P沟道
输入电容:100pF@15V
ECCN:EAR99
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3030SN-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:3V@1mA
连续漏极电流:700mA
工作温度:-65℃~150℃
输入电容:160pF@10V
功率:500mW
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@400mA,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
输入电容:51pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:1.3nC@10V
连续漏极电流:400mA
功率:500mW
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN352AP
栅极电荷:1.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
功率:500mW
类型:P沟道
输入电容:150pF@15V
连续漏极电流:1.3A
导通电阻:180mΩ@1.3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN358P
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:182pF@15V
连续漏极电流:1.5A
功率:500mW
类型:P沟道
栅极电荷:5.6nC@10V
导通电阻:125mΩ@1.5A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN360P
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:298pF@15V
导通电阻:80mΩ@2A,10V
连续漏极电流:2A
功率:500mW
类型:P沟道
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS308PEH6327XTSA1
输入电容:500pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:80mΩ@2A,10V
连续漏极电流:2A
阈值电压:2V@11µA
功率:500mW
类型:P沟道
栅极电荷:5nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN358P
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:182pF@15V
连续漏极电流:1.5A
功率:500mW
类型:P沟道
栅极电荷:5.6nC@10V
导通电阻:125mΩ@1.5A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS308PEH6327XTSA1
输入电容:500pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:80mΩ@2A,10V
连续漏极电流:2A
阈值电压:2V@11µA
功率:500mW
类型:P沟道
栅极电荷:5nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN360P
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:298pF@15V
导通电阻:80mΩ@2A,10V
连续漏极电流:2A
功率:500mW
类型:P沟道
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS315PH6327XTSA1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:282pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:150mΩ@1.5A,10V
阈值电压:2V@11µA
连续漏极电流:1.5A
功率:500mW
类型:P沟道
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3455T1G
栅极电荷:13nC@10V
导通电阻:100mΩ@3.5A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
类型:P沟道
连续漏极电流:2.5A
输入电容:480pF@5V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:1.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: