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    包装方式: 卷带(TR)
    功率: 300mW
    漏源电压: 20V
    工作温度: -55℃~150℃
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:200+
    商品信息
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    强茂 Mosfet场效应管 PJE8407_R1_00001 起订11个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8407_R1_00001 起订11个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE8407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8407_R1_00001 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8407_R1_00001 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE8407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8407_R1_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8407_R1_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE8407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8407_R1_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8407_R1_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE8407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250µA

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8407_R1_00001 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8407_R1_00001 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE8407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250µA

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8407_R1_00001 起订11个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8407_R1_00001 起订11个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE8407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250µA

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE8407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8407_R1_00001 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8407_R1_00001 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE8407_R1_00001

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    类型:P沟道

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:1.2mΩ@500mA,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVA4001NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVA4001NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVA4001NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@5V

    连续漏极电流:238mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6306P
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6306P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6306P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:114pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:420mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4001NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4001NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4001NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@5V

    连续漏极电流:238mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4001NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4001NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4001NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@5V

    连续漏极电流:238mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6335N
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6335N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6335N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:113pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15
    DIODES Mosfet场效应管 DMN26D0UT-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN26D0UT-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN26D0UT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14.1pF@15V

    连续漏极电流:0.23A

    类型:N-Channel

    导通电阻:3Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:95
    onsemi Mosfet场效应管 NTE4153NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTE4153NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTE4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6308P
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6308P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6308P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:153pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS209PWH6327XTSA1 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS209PWH6327XTSA1 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS209PWH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.2V@3.5µA

    栅极电荷:1.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:115pF@15V

    连续漏极电流:630mA

    类型:P沟道

    导通电阻:550mΩ@630mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6332C
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6332C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6332C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:113pF@10V

    连续漏极电流:700mA€600mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6335N 起订1751个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6335N 起订1751个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2651,"21+":5153,"22+":10261}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6335N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:113pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1751
    DIODES Mosfet场效应管 DMN26D0UDJ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN26D0UDJ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN26D0UDJ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14.1pF@15V

    连续漏极电流:0.24A

    类型:N-Channel

    导通电阻:3Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4153NT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4153NT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4153NT1G 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4153NT1G 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4001NT1
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4001NT1

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":2785,"05+":81180}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4001NT1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@5V

    连续漏极电流:238mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8013
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6332C
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6332C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6332C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:113pF@10V

    连续漏极电流:700mA€600mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4001NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4001NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4001NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@5V

    连续漏极电流:238mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    AOS Mosfet场效应管 AO7800 起订24个装
    AOS Mosfet场效应管 AO7800 起订24个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO7800

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:900mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:300mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN26D0UT-7 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN26D0UT-7 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN26D0UT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14.1pF@15V

    连续漏极电流:230mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVE4153NT1G 起订7个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVE4153NT1G 起订7个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVE4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN26D0UT-7 起订1083000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN26D0UT-7 起订1083000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN26D0UT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14.1pF@15V

    连续漏极电流:0.23A

    类型:N-Channel

    导通电阻:3Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4001NT1G 起订75000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4001NT1G 起订75000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4001NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@5V

    连续漏极电流:238mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:75000
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