采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22kΩ
特征频率：250MHz
功率：350mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：80Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：16pF@20V
功率：350mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：1V@1nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：8mA@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：50Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：12pF@10V
功率：350mW
栅源击穿电压：35V
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：300Ω
类型：P通道
ECCN：EAR99
功率：350mW
栅源击穿电压：30V
工作温度：-55℃~135℃
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
特征频率：250MHz
功率：350mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUC002N05HZGT116
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：50Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
功率：350mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：1V@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：5mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV305N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：109pF@10V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：80Ω
类型：N通道
输入电容：16pF@20V
功率：350mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：1V@1nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：8mA@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：7pF@15V
功率：350mW
栅源击穿电压：25V
栅源截止电压：500mV@10nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：1mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@500mA，1.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002P，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：360mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
功率：350mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：300mV@10nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：200µA@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：50Ω
类型：N通道
功率：350mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：1V@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：5mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：50Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：12pF@10V
功率：350mW
栅源击穿电压：35V
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKVL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：P沟道
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138BKVL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@10V
连续漏极电流：360mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@350mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22kΩ
特征频率：250MHz
功率：350mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：4.5pF@15V
功率：350mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：800mV@10nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：900µA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUC002N05HZGT116
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC31D5UDJ-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22.6pF@15V
连续漏极电流：220mA€200mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3402-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：4.34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2A，1.8V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3008PBKVL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@15V
连续漏极电流：230mA
类型：P沟道
导通电阻：4.1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：100Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：13pF@20V
功率：350mW
栅源击穿电压：40V
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV303N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：125Ω
类型：P通道
ECCN：EAR99
功率：350mW
栅源击穿电压：30V
工作温度：-55℃~135℃
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
