品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJT7601_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:67pF@10V€38pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJT7601_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:67pF@10V€38pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: