品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3992
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
连续漏极电流:4.5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6673BZ
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:14.5A
类型:P沟道
栅极电荷:124nC@10V
功率:2.5W
导通电阻:7.8mΩ@14.5A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6675BZ
输入电容:2470pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:13mΩ@11A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
栅极电荷:62nC@10V
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6673BZ
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:14.5A
类型:P沟道
栅极电荷:124nC@10V
功率:2.5W
ECCN:EAR99
导通电阻:7.8mΩ@14.5A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6670A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:30nC@5V
输入电容:2220pF@15V
类型:N沟道
连续漏极电流:13A
导通电阻:8mΩ@13A,10V
功率:2.5W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6670A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:30nC@5V
输入电容:2220pF@15V
类型:N沟道
连续漏极电流:13A
导通电阻:8mΩ@13A,10V
功率:2.5W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3672
输入电容:2015pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:23mΩ@7.5A,10V
漏源电压:100V
栅极电荷:37nC@10V
连续漏极电流:7.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS8425
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.4A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:18nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@7.4A,4.5V
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:1098pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5672
导通电阻:10mΩ@12A,10V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2200pF@25V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
漏源电压:60V
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8896
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:2525pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
功率:2.5W
连续漏极电流:15A
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"17+":78,"19+":2500}
规格型号(MPN):FDS8638
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:5680pF@15V
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
功率:2.5W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8896
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:2525pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
功率:2.5W
连续漏极电流:15A
栅极电荷:67nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4685
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:27nC@5V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
导通电阻:27mΩ@8.2A,10V
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
输入电容:1872pF@20V
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3672
输入电容:2015pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:23mΩ@7.5A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
栅极电荷:37nC@10V
连续漏极电流:7.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6670A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:30nC@5V
输入电容:2220pF@15V
类型:N沟道
连续漏极电流:13A
导通电阻:8mΩ@13A,10V
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9431A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8.5nC@4.5V
导通电阻:130mΩ@3.5A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
功率:2.5W
漏源电压:20V
输入电容:405pF@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:3.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8690
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:27nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@14A,10V
输入电容:1680pF@15V
连续漏极电流:14A
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6675BZ
输入电容:2470pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:13mΩ@11A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
栅极电荷:62nC@10V
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6675BZ
输入电容:2470pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:13mΩ@11A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
栅极电荷:62nC@10V
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6670A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:30nC@5V
输入电容:2220pF@15V
类型:N沟道
连续漏极电流:13A
导通电阻:8mΩ@13A,10V
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5690
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:28mΩ@7A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:32nC@10V
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1107pF@30V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5670
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:14mΩ@10A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:2900pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":62500}
规格型号(MPN):NDS8425
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.4A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:18nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@7.4A,4.5V
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:1098pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3572
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1990pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:8.9A
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:16mΩ@8.9A,10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8896
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:2525pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
功率:2.5W
连续漏极电流:15A
栅极电荷:67nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5670
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:14mΩ@10A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:2900pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6680A
栅极电荷:23nC@5V
连续漏极电流:12.5A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1620pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@12.5A,10V
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"09+":1512,"10+":21953}
规格型号(MPN):MMSF7P03HDR2G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:35mΩ@5.3A,10V
栅极电荷:75.8nC@6V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
功率:2.5W
输入电容:1680pF@24V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":848,"22+":2375}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8876
连续漏极电流:12.5A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1650pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:36nC@10V
导通电阻:8.2mΩ@12.5A,10V
功率:2.5W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5690
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:28mΩ@7A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:32nC@10V
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1107pF@30V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存: