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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0349DSP-00#J0
工作温度：150℃
功率：2.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3850pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS7NF60L
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03CS RLG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS7NF60L
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS6NF20V
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：11.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS6NF20V
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：11.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS6NF20V
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：11.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03CS RLG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS6NF20V
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：11.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS5NF60L
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS5NF60L
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS7NF60L
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS7NF60L
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K341NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K341NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS5NF60L
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS6NF20V
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：11.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS7NF60L
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03CS RLG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03CS RLG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS7NF60L
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS6NF20V
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：11.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
