销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV€-150mV

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：100mA€-100mA

输入电阻：22KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V€-50V

特征频率：250MHz€250MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN/PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV€-150mV

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：100mA€-100mA

输入电阻：22KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V€-50V

特征频率：250MHz€250MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN/PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV€-150mV

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：100mA€-100mA

输入电阻：22KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V€-50V

特征频率：250MHz€250MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN/PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV€-150mV

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：100mA€-100mA

输入电阻：22KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V€-50V

特征频率：250MHz€250MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN/PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV€-150mV

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：100mA€-100mA

输入电阻：22KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V€-50V

特征频率：250MHz€250MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN/PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

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ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

ECCN：EAR99

功率：150mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1