销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：33@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：33@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-150mV

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：-100mA

输入电阻：2.2KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：-100mA

输入电阻：2.2KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：-100mA

输入电阻：2.2KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：-100mA

输入电阻：2.2KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：-100mA

输入电阻：2.2KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"10+"：27000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@20mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-150mV

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：-100mA

输入电阻：2.2KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-250mV

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：-100mA

输入电阻：2.2KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：-100mA

输入电阻：2.2KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：-500mA

输入电阻：2.2KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：-12V

特征频率：260MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：-100mA

输入电阻：2.2KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：-100mA

输入电阻：2.2KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：-100mA

输入电阻：2.2KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-150mV

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：-100mA

输入电阻：2.2KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-150mV

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：-100mA

输入电阻：2.2KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：-100mA

输入电阻：2.2KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP

包装清单：商品主体 * 1