品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35AFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35AFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SSM3J35AMFV,L3F
工作温度:150℃
功率:150mW
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类型:P沟道
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分类:Mosfet场效应管
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工作温度:150℃
功率:150mW
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SSM3J35AFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
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分类:Mosfet场效应管
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规格型号(MPN):SSM3J35AFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
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类型:P沟道
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SSM3J35AMFV,L3F
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SSM3J35AMFV,L3F
工作温度:150℃
功率:150mW
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库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35AFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
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品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35AMFV,L3F
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35AFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
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类型:P沟道
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35AMFV,L3F
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35AFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35AMFV,L3F
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35AFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35AMFV,L3F
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35AMFV,L3F
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35AFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RE1C001ZPTL
输入电容:15pF@10V
功率:150mW
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
工作温度:150℃
阈值电压:1V@100µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:100mA
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35AFS,LF
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
功率:150mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
输入电容:42pF@10V
阈值电压:1V@100µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RE1C002ZPTL
功率:150mW
输入电容:115pF@10V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:1.4nC@4.5V
导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
阈值电压:1V@100µA
漏源电压:20V
工作温度:-40℃~150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RE1C002ZPTL
功率:150mW
输入电容:115pF@10V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:1.4nC@4.5V
导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
阈值电压:1V@100µA
漏源电压:20V
工作温度:-40℃~150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZM001P02T2L
输入电容:15pF@10V
功率:150mW
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
工作温度:150℃
阈值电压:1V@100µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:100mA
导通电阻:3.8Ω@100mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RE1C002ZPTL
功率:150mW
输入电容:115pF@10V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:1.4nC@4.5V
导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
阈值电压:1V@100µA
漏源电压:20V
工作温度:-40℃~150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZM001P02T2L
功率:150mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
连续漏极电流:100mA
导通电阻:3.8Ω@100mA,4.5V
输入电容:15pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@100µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35AMFV,L3F
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
功率:150mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
输入电容:42pF@10V
阈值电压:1V@100µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RU1C001ZPTL
输入电容:15pF@10V
功率:150mW
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
工作温度:150℃
阈值电压:1V@100µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:100mA
导通电阻:3.8Ω@100mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZM001P02T2L
输入电容:15pF@10V
功率:150mW
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
工作温度:150℃
阈值电压:1V@100µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:100mA
导通电阻:3.8Ω@100mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
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