采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM8568CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@15V€1089pF@15V
连续漏极电流：15A€13A
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R1K0PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4005EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@6V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87331Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V€1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：518pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87333Q3D
工作温度：125℃
功率：6W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：662pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：14.3mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN95R3K7P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@400V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.7Ω@800mA，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN70R2K0P7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6W
阈值电压：3.5V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@400V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87333Q3DT
工作温度：125℃
功率：6W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：662pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：14.3mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87330Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87330Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86336Q3D
工作温度：-55℃~125℃
功率：6W
阈值电压：1.9V@250µA€1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：494pF@12.5V€970pF@12.5V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4050EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2406pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4101DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：203nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8190pF@15V
连续漏极电流：25.7A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN95R3K7P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@400V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.7Ω@800mA，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87333Q3DT
工作温度：125℃
功率：6W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：662pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：14.3mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM8568CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@15V€1089pF@15V
连续漏极电流：15A€13A
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4050EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2406pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87334Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：6mΩ@12A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87335Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@15V
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87334Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：6mΩ@12A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN6N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@100V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.25Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：500}
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86336Q3DT
工作温度：-55℃~125℃
功率：6W
阈值电压：1.9V@250µA€1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：494pF@12.5V€970pF@12.5V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87330Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87588N
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：736pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87330Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87333Q3D
工作温度：125℃
功率：6W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：662pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：14.3mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R1K0PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87331Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V€1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：518pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN95R3K7P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@400V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.7Ω@800mA，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4050EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2406pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
