采购热线 400-661-9010
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：120}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AFT26P100-4WSR3
功率：22W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R2K4P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：22W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@500V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@800mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R2K4P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：22W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@500V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@800mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7272DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：22W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.3mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7272DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：22W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.3mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：120}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AFT26P100-4WSR3
功率：22W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7272DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：22W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.3mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K5PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：22W
阈值电压：4.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：169pF@400V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@700mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K5PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：22W
阈值电压：4.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：169pF@400V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@700mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K5PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：22W
阈值电压：4.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：169pF@400V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@700mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R2K4P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：22W
阈值电压：3.5V@40µA
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@500V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@800mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R2K4P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：22W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@500V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@800mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R2K4P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：22W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@500V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@800mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R2K4P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：22W
阈值电压：3.5V@40µA
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@500V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@800mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7972DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：22W
阈值电压：2.7V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R2K4P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：22W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@500V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@800mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K5PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：22W
阈值电压：4.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：169pF@400V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@700mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7272DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：22W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.3mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AFT26P100-4WSR3
功率：22W
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AFT26P100-4WSR3
功率：22W
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7972DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：22W
阈值电压：2.7V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7272DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：22W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.3mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7272DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：22W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.3mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K5PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：22W
阈值电压：4.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：169pF@400V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@700mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R2K4P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：22W
阈值电压：3.5V@40µA
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@500V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@800mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R2K4P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：22W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@500V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@800mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：90，"18+"：50}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AFT26P100-4WSR3
功率：22W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K5PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：22W
阈值电压：4.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：169pF@400V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@700mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7972DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：22W
阈值电压：2.7V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL3N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：22W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@100V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
