品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC28N08S5L230ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:2V@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@40V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@14A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9024NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:175mΩ@6.6A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R2K1CEAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:38W
阈值电压:3.5V@60µA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@100V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:2.1Ω@760mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K35-60E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:2.1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1081pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD3055LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:107mΩ@8A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K18-40E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:2.1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1061pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD03N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:3.9V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G23N06K
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD03N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:3.9V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC24N10S5L300ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:2.2V@12µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@50V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9024NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:175mΩ@6.6A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-30MLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:519pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:13.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1134}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC28N08S5L230ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:2V@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@40V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@14A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76407D3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:92mΩ@13A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC24N10S5L300ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:2.2V@12µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@50V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K18-40E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1061pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC28N08S5L230ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:2V@11µA
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@40V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@14A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9024NTRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:175mΩ@6.6A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M20-40HX
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:598pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD04P10PLGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:2V@380µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:372pF@25V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:850mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD04P10PLGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:2V@380µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:372pF@25V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:850mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9024NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:175mΩ@6.6A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD04P10PLGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:2V@380µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:372pF@25V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:850mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9024NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:175mΩ@6.6A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD3055LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:107mΩ@8A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ900N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@75V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9024NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:175mΩ@6.6A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-30MLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:519pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:13.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7K18-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@25V
连续漏极电流:24.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD3055LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:107mΩ@8A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: