采购热线 400-661-9010
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：336}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MRF6S21100NR1
功率：23W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70R1K4P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：23W
阈值电压：3.5V@40µA
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：158pF@400V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@700mA，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：7，"16+"：27}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MRF7S27130HSR3
功率：23W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70R1K4P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：23W
阈值电压：3.5V@40µA
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：158pF@400V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@700mA，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：7，"16+"：27}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MRF7S27130HSR3
功率：23W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7232DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16.4mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7232DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16.4mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：203}
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MRF6S21100HR3
功率：23W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70R1K4P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：23W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：158pF@400V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@700mA，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7232DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16.4mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：203}
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MRF6S21100HR3
功率：23W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70R1K4P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：23W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：158pF@400V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@700mA，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：180}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MRF6S21100NBR1
功率：23W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7232DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16.4mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：336}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MRF6S21100NR1
功率：23W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7232DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16.4mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7232DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16.4mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：180}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MRF6S21100NBR1
功率：23W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7232DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16.4mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70R1K4P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：23W
阈值电压：3.5V@40µA
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：158pF@400V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@700mA，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7232DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16.4mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7232DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16.4mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7232DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16.4mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7232DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16.4mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：180}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MRF6S21100NBR1
功率：23W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
