品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT250N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@1.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB260N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@1.2mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S04M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:90W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6510pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:6.3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD6N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:1.25Ω@3A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4NK100Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:601pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:6.8Ω@1.1A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S04M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:90W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6510pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:6.3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK90ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:22.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB13NM60N
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK100Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:601pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@1.25A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD6N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:1.25Ω@3A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK90ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:22.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C3M0160120J-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:3.6V@2.33mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@1000V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@8.5A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SKI06106
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:2.5V@650µA
栅极电荷:38.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2520pF@25V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@28.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD6NK50ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:24.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@25V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":3880}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTAT6H406NT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8040pF@40V
连续漏极电流:175A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C3M0160120J-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:3.6V@2.33mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@1000V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@8.5A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":3880}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTAT6H406NT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8040pF@40V
连续漏极电流:175A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7N52DK3
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@50V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.15Ω@3A,10V
漏源电压:525V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5N95K3
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@2A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5N95K3
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@2A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4NK100Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:601pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:6.8Ω@1.1A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5N95K3
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@2A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5N95K3
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@2A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD6N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:1.25Ω@3A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK90ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:22.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB18N60DM2
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:295mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7NM80
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.05Ω@3.25A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD6N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:1.25Ω@3A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD6N62K3
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:25.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:706pF@50V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.28Ω@2.8A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存: