采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN015-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：86W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：14.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0120065L-TR
工作温度：-40℃~175℃
功率：86W
阈值电压：3.6V@1.86mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@400V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：157mΩ@6.76A，15V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN015-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：86W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：14.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0120065L-TR
工作温度：-40℃~175℃
功率：86W
阈值电压：3.6V@1.86mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@400V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：157mΩ@6.76A，15V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R0-40BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：86W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1262pF@12V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R650CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：86W
阈值电压：3.5V@210µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN015-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：86W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：14.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN034-100BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：86W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1201pF@50V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1200，"22+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70R600CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：86W
阈值电压：3.5V@210µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：474pF@100V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN015-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：86W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：14.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN034-100BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：86W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1201pF@50V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0120065L-TR
工作温度：-40℃~175℃
功率：86W
阈值电压：3.6V@1.86mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@400V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：157mΩ@6.76A，15V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R650CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：86W
阈值电压：3.5V@210µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN015-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：86W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：14.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R0-40BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：86W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1262pF@12V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R650CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：86W
阈值电压：3.5V@210µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R650CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：86W
阈值电压：3.5V@210µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN034-100BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：86W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1201pF@50V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN015-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：86W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：14.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1200，"22+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70R600CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：86W
阈值电压：3.5V@210µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：474pF@100V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R650CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：86W
阈值电压：3.5V@210µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R650CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：86W
阈值电压：3.5V@210µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN015-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：86W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：14.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0120065L-TR
工作温度：-40℃~175℃
功率：86W
阈值电压：3.6V@1.86mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@400V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：157mΩ@6.76A，15V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN015-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：86W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：14.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R650CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：86W
阈值电压：3.5V@210µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN015-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：86W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：14.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN015-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：86W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：14.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0120065L-TR
工作温度：-40℃~175℃
功率：86W
阈值电压：3.6V@1.86mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@400V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：157mΩ@6.76A，15V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R650CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：86W
阈值电压：3.5V@210µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
