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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G50N03K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：1.45V
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N06D52
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1326pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N06D52
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1326pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G50N03K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：1.45V
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ
漏源电压：30V
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：48W
阈值电压：1.45V
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
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输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ
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功率：48W
阈值电压：1.45V
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栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G20N06D52
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1326pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G50N03K
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功率：48W
阈值电压：1.45V
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ
漏源电压：30V
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功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：1326pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@20A，10V
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连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ
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阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：1326pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：1326pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@20A，10V
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阈值电压：1.45V
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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功率：48W
阈值电压：1.45V
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
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输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ
漏源电压：30V
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功率：48W
阈值电压：1.45V
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ
漏源电压：30V
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G50N03K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：1.45V
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N06D52
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1326pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G50N03K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：1.45V
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N06D52
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：20A
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1326pF@30V
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
类型：2N沟道（双）
漏源电压：60V
导通电阻：30mΩ@20A，10V
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N06D52
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1326pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G50N03K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：1.45V
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G50N03K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：1.45V
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G50N03K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：1.45V
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N06D52
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1326pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G50N03K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：1.45V
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ
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包装清单：商品主体 * 1
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