销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：180MHz

功率：340mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：180MHz

功率：340mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN67D8L-7

工作温度：-55℃~150℃

功率：340mW

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：0.82nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：22pF@25V

连续漏极电流：210mA

类型：N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN67D8L-13

工作温度：-55℃~150℃

功率：340mW

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：0.82nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：22pF@25V

连续漏极电流：210mA

类型：N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：180MHz

功率：340mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：340mW

晶体管类型：1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：180MHz

功率：340mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI1553CDL-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：340mW

阈值电压：1.5V@250µA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：38pF@10V

连续漏极电流：700mA€500mA

类型：N和P沟道

导通电阻：390mΩ@700mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI1553CDL-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：340mW

阈值电压：1.5V@250µA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：38pF@10V

连续漏极电流：700mA€500mA

类型：N和P沟道

导通电阻：390mΩ@700mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI1553CDL-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：340mW

阈值电压：1.5V@250µA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：38pF@10V

连续漏极电流：700mA€500mA

类型：N和P沟道

导通电阻：390mΩ@700mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：230MHz

功率：340mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI1539CDL-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：340mW

阈值电压：2.5V@250µA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：28pF@15V

连续漏极电流：700mA€500mA

类型：N和P沟道

导通电阻：388mΩ@600mA，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI1553CDL-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：340mW

阈值电压：1.5V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：38pF@10V

连续漏极电流：700mA€500mA

类型：N和P沟道

导通电阻：390mΩ@700mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：180MHz

功率：340mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：180MHz

功率：340mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI1539CDL-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：340mW

阈值电压：2.5V@250µA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：28pF@15V

连续漏极电流：700mA€500mA

类型：N和P沟道

导通电阻：388mΩ@600mA，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：180MHz

功率：340mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：180MHz

功率：340mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI1553CDL-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：340mW

阈值电压：1.5V@250µA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：38pF@10V

连续漏极电流：700mA€500mA

类型：N和P沟道

导通电阻：390mΩ@700mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：180MHz

功率：340mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI1539CDL-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：340mW

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：28pF@15V

连续漏极电流：700mA€500mA

类型：N和P沟道

导通电阻：388mΩ@600mA，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN67D8L-13

工作温度：-55℃~150℃

功率：340mW

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：0.82nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：22pF@25V

连续漏极电流：210mA

类型：N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS138W

工作温度：-55℃~150℃

功率：340mW

阈值电压：1.5V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.1nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：38pF@25V

连续漏极电流：210mA

类型：N沟道

导通电阻：3.5Ω@220mA，10V

漏源电压：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI1539CDL-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：340mW

阈值电压：2.5V@250µA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：28pF@15V

连续漏极电流：700mA€500mA

类型：N和P沟道

导通电阻：388mΩ@600mA，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI1539CDL-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：340mW

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：28pF@15V

连续漏极电流：700mA€500mA

类型：N和P沟道

导通电阻：388mΩ@600mA，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI1553CDL-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：340mW

阈值电压：1.5V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：38pF@10V

连续漏极电流：700mA€500mA

类型：N和P沟道

导通电阻：390mΩ@700mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN67D8L-7

工作温度：-55℃~150℃

功率：340mW

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：0.82nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：22pF@25V

连续漏极电流：210mA

类型：N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI1553CDL-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：340mW

阈值电压：1.5V@250µA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：38pF@10V

连续漏极电流：700mA€500mA

类型：N和P沟道

导通电阻：390mΩ@700mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN67D8L-7

工作温度：-55℃~150℃

功率：340mW

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：0.82nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：22pF@25V

连续漏极电流：210mA

类型：N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：180MHz

功率：340mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1