采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1010NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3210pF@25V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@43A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76439S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2745pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76439S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2745pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100S04N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：180W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5490pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R065C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：180W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@400V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100S04N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：180W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5490pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100S04N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：180W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5490pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R065C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：180W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@400V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R065C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：180W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@400V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R065C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：180W
阈值电压：4V@800µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@400V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1010NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3210pF@25V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@43A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100S04N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：180W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5490pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100S04N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：180W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5490pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100S04N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：180W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5490pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ90S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：180W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：172nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7700pF@10V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：4.3mΩ@45A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R065C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：180W
阈值电压：4V@800µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@400V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R065C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：180W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@400V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1010NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3210pF@25V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@43A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R065C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：180W
阈值电压：4V@800µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@400V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R065C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：180W
阈值电压：4V@800µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@400V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK1R4S04PB，LXHQ
工作温度：175℃
功率：180W
阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@10V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@60A，6V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1010NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3210pF@25V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@43A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76639S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@51A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100S04N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：180W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5490pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK1R4S04PB，LXHQ
工作温度：175℃
功率：180W
阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@10V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@60A，6V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK1R4S04PB，LXHQ
工作温度：175℃
功率：180W
阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@10V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@60A，6V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R065C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：180W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@400V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1010NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3210pF@25V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@43A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76439S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2745pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R065C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：180W
阈值电压：4V@800µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@400V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
