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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@26μA
栅极电荷：900pC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0605
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1
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功率：360mW
阈值电压：1.8V@26μA
栅极电荷：900pC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
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漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
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类型：1个P沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@26μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：900pC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1
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连续漏极电流：200mA
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规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1
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阈值电压：1.8V@26μA
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栅极电荷：900pC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NDS0605
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功率：360mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@26μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：900pC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NDS0605
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NDS0605
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
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栅极电荷：2.5nC@10V
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连续漏极电流：180mA
类型：1个P沟道
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输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1
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功率：360mW
阈值电压：1.8V@26μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：900pC@10V
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输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：200mA
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导通电阻：5Ω@500mA，10V
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栅极电荷：2.5nC@10V
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连续漏极电流：180mA
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导通电阻：5Ω@500mA，10V
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连续漏极电流：200mA
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@26μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：900pC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NDS0605
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NDS0605
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@10V
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输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
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输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0605
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0605
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功率：360mW
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连续漏极电流：180mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NDS0605
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功率：360mW
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ECCN：EAR99
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类型：1个P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NDS0605
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
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栅极电荷：2.5nC@10V
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类型：1个P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@26μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：900pC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0605
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@10V
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输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
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栅极电荷：900pC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
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规格型号(MPN)：NDS0605
工作温度：-55℃~+150℃
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导通电阻：5Ω@500mA，10V
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