采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：2369}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6412ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：18.2mΩ@58A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：2369}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6412ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：18.2mΩ@58A，10V
漏源电压：100V
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功率：167W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：18.2mΩ@58A，10V
漏源电压：100V
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输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：18.2mΩ@58A，10V
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连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：18.2mΩ@58A，10V
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功率：167W
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：58A
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：18.2mΩ@58A，10V
输入电容：3500pF@25V
漏源电压：100V
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连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：18.2mΩ@58A，10V
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功率：167W
阈值电压：4V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：18.2mΩ@58A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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