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    包装方式: 卷带(TR)
    功率: 6.8W
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    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R1K2P7ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R1K2P7ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN80R1K2P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.8W

    阈值电压:3.5V@80µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@500V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4850EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4850EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4425EY-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4425EY-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4425EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3630pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4425EY-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4425EY-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4425EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3630pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4425EY-T1_BE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4425EY-T1_BE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4425EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3630pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 AFM906NT1 起订1个装
    NXP Mosfet场效应管 AFM906NT1 起订1个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AFM906NT1

    功率:6.8W

    ECCN:5A991G

    包装方式:卷带(TR)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 AFM906NT1 起订5000个装
    NXP Mosfet场效应管 AFM906NT1 起订5000个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":14905}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AFM906NT1

    功率:6.8W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4850EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R1K2P7ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R1K2P7ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN80R1K2P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.8W

    阈值电压:3.5V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@500V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4850EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4850EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 AFM906NT1 起订500个装
    NXP Mosfet场效应管 AFM906NT1 起订500个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AFM906NT1

    功率:6.8W

    ECCN:5A991G

    包装方式:卷带(TR)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4425EY-T1_BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4425EY-T1_BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4425EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3630pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4435EY-T1_BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4435EY-T1_BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4435EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2170pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R1K2P7ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R1K2P7ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN80R1K2P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.8W

    阈值电压:3.5V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@500V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4850EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 AFM906NT1 起订100个装
    NXP Mosfet场效应管 AFM906NT1 起订100个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AFM906NT1

    功率:6.8W

    ECCN:5A991G

    包装方式:卷带(TR)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4850EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R1K2P7ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R1K2P7ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN80R1K2P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.8W

    阈值电压:3.5V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@500V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4064EY-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4064EY-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4064EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2096pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:19.8mΩ@6.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4435EY-T1_BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4435EY-T1_BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4435EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2170pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4435EY-T1_BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4435EY-T1_BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4435EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2170pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4425EY-T1_BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4425EY-T1_BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4425EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3630pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4435EY-T1_BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4435EY-T1_BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4435EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2170pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4425EY-T1_BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4425EY-T1_BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4425EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3630pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R1K2P7ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R1K2P7ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN80R1K2P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.8W

    阈值电压:3.5V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@500V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3 起订7500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3 起订7500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4850EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R1K2P7ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R1K2P7ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN80R1K2P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.8W

    阈值电压:3.5V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@500V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4425EY-T1_BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4425EY-T1_BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4425EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3630pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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