销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，2.5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：310mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：310mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTK3043NT5G

工作温度：-55℃~150℃

功率：310mW

阈值电压：1.3V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：11pF@10V

连续漏极电流：210mA

类型：N沟道

导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMC3400SDW-13

工作温度：-55℃~150℃

功率：310mW

阈值电压：1.6V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：55pF@15V

连续漏极电流：650mA€450mA

类型：N和P沟道

导通电阻：400mΩ@590mA，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTK3134NT1G

工作温度：-55℃~150℃

功率：310mW

阈值电压：1.2V@250µA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：120pF@16V

连续漏极电流：750mA

类型：N沟道

导通电阻：350mΩ@890mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMC3400SDW-13

工作温度：-55℃~150℃

功率：310mW

阈值电压：1.6V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：55pF@15V

连续漏极电流：650mA€450mA

类型：N和P沟道

导通电阻：400mΩ@590mA，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMP610DL-7

工作温度：-55℃~150℃

功率：310mW

阈值电压：2V@1mA

栅极电荷：0.56nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：24.6pF@25V

连续漏极电流：180mA

类型：P沟道

导通电阻：10Ω@100mA，5V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMG1013UW-7

工作温度：-55℃~150℃

功率：310mW

阈值电压：1V@250µA

栅极电荷：0.622nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：59.76pF@16V

连续漏极电流：820mA

类型：P沟道

导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMG1013UWQ-7

工作温度：-55℃~150℃

功率：310mW

阈值电压：1V@250µA

栅极电荷：0.62nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：59.76pF@16V

连续漏极电流：820mA

类型：P沟道

导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMG1013UWQ-7

工作温度：-55℃~150℃

功率：310mW

阈值电压：1V@250µA

栅极电荷：0.62nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：59.76pF@16V

连续漏极电流：820mA

类型：P沟道

导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N7002DW-7-F

工作温度：-55℃~150℃

功率：310mW

阈值电压：2V@250µA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：50pF@25V

连续漏极电流：230mA

类型：2N沟道（双）

导通电阻：7.5Ω@50mA，5V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：310mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"06+"：2000，"07+"：13191}

销售单位：个

漏源导通电阻：30Ω

类型：N通道

ECCN：EAR99

输入电容：10pF@12V

功率：310mW

栅源击穿电压：35V

工作温度：-65℃~150℃

包装方式：卷带（TR）

漏源饱和电流：50mA@20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N7002DWQ-7-F

工作温度：-55℃~150℃

功率：310mW

阈值电压：2V@250µA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：50pF@25V

连续漏极电流：230mA

类型：2N沟道（双）

导通电阻：7.5Ω@50mA，5V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMC3400SDW-7

工作温度：-55℃~150℃

功率：310mW

阈值电压：1.6V@250µA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：55pF@15V

连续漏极电流：650mA€450mA

类型：N和P沟道

导通电阻：400mΩ@590mA，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：310mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN63D1LW-13

工作温度：-55℃~150℃

功率：310mW

阈值电压：2.5V@1mA

栅极电荷：0.3nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：30pF@25V

连续漏极电流：380mA

类型：N沟道

导通电阻：2Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：126150}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NX7002BKVL

工作温度：-55℃~150℃

功率：310mW

阈值电压：2.1V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：1nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：23.6pF@10V

连续漏极电流：270mA

类型：N沟道

导通电阻：2.8Ω@200mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN53D0LDW-7

工作温度：-55℃~150℃

功率：310mW

阈值电压：1.5V@250µA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：46pF@25V

连续漏极电流：360mA

类型：2N沟道（双）

导通电阻：1.6Ω@500mA，10V

漏源电压：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTK3043NT1G

工作温度：-55℃~150℃

功率：310mW

阈值电压：1.3V@250µA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：11pF@10V

连续漏极电流：210mA

类型：N沟道

导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N7002DWQ-13-F

工作温度：-55℃~150℃

功率：310mW

阈值电压：2V@250µA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：50pF@25V

连续漏极电流：230mA

类型：2N沟道（双）

导通电阻：7.5Ω@50mA，5V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"23+"：24000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTK3043NT1G

工作温度：-55℃~150℃

功率：310mW

阈值电压：1.3V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：11pF@10V

连续漏极电流：210mA

类型：N沟道

导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：310mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMG1013UW-7

工作温度：-55℃~150℃

功率：310mW

阈值电压：1V@250µA

栅极电荷：0.622nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：59.76pF@16V

连续漏极电流：820mA

类型：P沟道

导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMP510DL-13

工作温度：-55℃~150℃

功率：310mW

阈值电压：2V@1mA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：24.6pF@25V

连续漏极电流：180mA

类型：P沟道

导通电阻：10Ω@100mA，5V

漏源电压：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTK3043NT5G

工作温度：-55℃~150℃

功率：310mW

阈值电压：1.3V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：11pF@10V

连续漏极电流：210mA

类型：N沟道

导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN53D0LDW-7

工作温度：-55℃~150℃

功率：310mW

阈值电压：1.5V@250µA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：46pF@25V

连续漏极电流：360mA

类型：2N沟道（双）

导通电阻：1.6Ω@500mA，10V

漏源电压：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：310mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：310mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMP510DL-7

工作温度：-55℃~150℃

功率：310mW

阈值电压：2V@1mA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：24.6pF@25V

连续漏极电流：180mA

类型：P沟道

导通电阻：10Ω@100mA，5V

漏源电压：50V

包装清单：商品主体 * 1