品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP315PH6327XTSA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:7.8nC@10V
连续漏极电流:1.17A
漏源电压:60V
功率:1.8W
类型:P沟道
阈值电压:2V@160µA
导通电阻:800mΩ@1.17A,10V
输入电容:160pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6066SSD-13
输入电容:502pF@30V
功率:1.8W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.3A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:66mΩ@4.5A,10V
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7850DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:22mΩ@10.3A,10V
栅极电荷:27nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:6.2A
功率:1.8W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP315PH6327XTSA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:7.8nC@10V
连续漏极电流:1.17A
漏源电压:60V
功率:1.8W
类型:P沟道
阈值电压:2V@160µA
导通电阻:800mΩ@1.17A,10V
输入电容:160pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):ZXMP6A18DN8TA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1580pF@30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:55mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
功率:1.8W
类型:2个P沟道(双)
连续漏极电流:3.7A
阈值电压:1V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7850DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:22mΩ@10.3A,10V
栅极电荷:27nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:6.2A
功率:1.8W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP171PH6327XTSA1
连续漏极电流:1.9A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:300mΩ@1.9A,10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:460pF@25V
漏源电压:60V
功率:1.8W
类型:P沟道
阈值电压:2V@460µA
栅极电荷:20nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):ZXMN6A11DN8TA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
功率:1.8W
输入电容:330pF@40V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:2.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):ZXMP6A18DN8TA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1580pF@30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:55mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
功率:1.8W
类型:2个P沟道(双)
连续漏极电流:3.7A
阈值电压:1V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):ZXMP6A18DN8TA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1580pF@30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:55mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
功率:1.8W
类型:2个P沟道(双)
连续漏极电流:3.7A
阈值电压:1V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP320SH6327XTSA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:2.9A
漏源电压:60V
栅极电荷:12nC@10V
功率:1.8W
导通电阻:120mΩ@2.9A,10V
输入电容:340pF@25V
阈值电压:4V@20µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):ZXMN6A11DN8TA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
功率:1.8W
输入电容:330pF@40V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SVTQ-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:7.3A
漏源电压:60V
栅极电荷:17.2nC@10V
功率:1.8W
类型:P沟道
输入电容:969pF@30V
ECCN:EAR99
导通电阻:105mΩ@4.5A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP613PH6327XTSA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:33nC@10V
连续漏极电流:2.9A
漏源电压:60V
输入电容:875pF@25V
功率:1.8W
类型:P沟道
阈值电压:4V@1mA
导通电阻:130mΩ@2.9A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SVTQ-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:7.3A
漏源电压:60V
栅极电荷:17.2nC@10V
功率:1.8W
类型:P沟道
输入电容:969pF@30V
ECCN:EAR99
导通电阻:105mΩ@4.5A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP315PH6327XTSA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:7.8nC@10V
连续漏极电流:1.17A
漏源电压:60V
功率:1.8W
类型:P沟道
阈值电压:2V@160µA
ECCN:EAR99
导通电阻:800mΩ@1.17A,10V
输入电容:160pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP613PH6327XTSA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:33nC@10V
连续漏极电流:2.9A
漏源电压:60V
输入电容:875pF@25V
功率:1.8W
类型:P沟道
阈值电压:4V@1mA
导通电阻:130mΩ@2.9A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP295H6327XTSA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
阈值电压:1.8V@400µA
连续漏极电流:1.8A
功率:1.8W
输入电容:368pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP613PH6327XTSA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:33nC@10V
连续漏极电流:2.9A
漏源电压:60V
输入电容:875pF@25V
功率:1.8W
类型:P沟道
阈值电压:4V@1mA
导通电阻:130mΩ@2.9A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:22mΩ@10.3A,10V
栅极电荷:27nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:6.2A
功率:1.8W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):ZXMP6A18DN8TA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1580pF@30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:55mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
功率:1.8W
类型:2个P沟道(双)
连续漏极电流:3.7A
阈值电压:1V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7850DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:22mΩ@10.3A,10V
栅极电荷:27nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:6.2A
功率:1.8W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):ZXMN6A25DN8TA
输入电容:1063pF@30V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
连续漏极电流:3.8A
功率:1.8W
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
阈值电压:1V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6066SSD-13
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:10.3nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:66mΩ@4.5A,10V
类型:N-Channel
漏源电压:60V
输入电容:502pF@30V
功率:1.8W
连续漏极电流:4.4A
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):ZXMN6A11DN8TA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
功率:1.8W
输入电容:330pF@40V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:2.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP613PH6327XTSA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:33nC@10V
连续漏极电流:2.9A
漏源电压:60V
输入电容:875pF@25V
功率:1.8W
类型:P沟道
阈值电压:4V@1mA
导通电阻:130mΩ@2.9A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP613PH6327XTSA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:33nC@10V
连续漏极电流:2.9A
漏源电压:60V
输入电容:875pF@25V
功率:1.8W
类型:P沟道
阈值电压:4V@1mA
导通电阻:130mΩ@2.9A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6066SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:502pF@30V
连续漏极电流:4.4A
类型:N-Channel
导通电阻:66mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SVTQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7.3A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@10.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: