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    包装方式: 卷带(TR)
    功率: 1.8W
    漏源电压: 60V
    行业应用: 工业
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:200+
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    INFINEON Mosfet场效应管 BSP315PH6327XTSA1 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP315PH6327XTSA1 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP315PH6327XTSA1

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:7.8nC@10V

    连续漏极电流:1.17A

    漏源电压:60V

    功率:1.8W

    类型:P沟道

    阈值电压:2V@160µA

    导通电阻:800mΩ@1.17A,10V

    输入电容:160pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6066SSD-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6066SSD-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6066SSD-13

    输入电容:502pF@30V

    功率:1.8W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.3A

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:66mΩ@4.5A,10V

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    栅极电荷:27nC@10V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:6.2A

    功率:1.8W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP315PH6327XTSA1 起订250个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP315PH6327XTSA1 起订250个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP315PH6327XTSA1

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:7.8nC@10V

    连续漏极电流:1.17A

    漏源电压:60V

    功率:1.8W

    类型:P沟道

    阈值电压:2V@160µA

    导通电阻:800mΩ@1.17A,10V

    输入电容:160pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A18DN8TA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A18DN8TA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):500psc

    规格型号(MPN):ZXMP6A18DN8TA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1580pF@30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:55mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    功率:1.8W

    类型:2个P沟道(双)

    连续漏极电流:3.7A

    阈值电压:1V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    栅极电荷:27nC@10V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:6.2A

    功率:1.8W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP171PH6327XTSA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP171PH6327XTSA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP171PH6327XTSA1

    连续漏极电流:1.9A

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:300mΩ@1.9A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:460pF@25V

    漏源电压:60V

    功率:1.8W

    类型:P沟道

    阈值电压:2V@460µA

    栅极电荷:20nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11DN8TA 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11DN8TA 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):500psc

    规格型号(MPN):ZXMN6A11DN8TA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    导通电阻:120mΩ@2.5A,10V

    功率:1.8W

    输入电容:330pF@40V

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:2.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A18DN8TA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A18DN8TA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):500psc

    规格型号(MPN):ZXMP6A18DN8TA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1580pF@30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:55mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    功率:1.8W

    类型:2个P沟道(双)

    连续漏极电流:3.7A

    阈值电压:1V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A18DN8TA 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A18DN8TA 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):500psc

    规格型号(MPN):ZXMP6A18DN8TA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1580pF@30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:55mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    功率:1.8W

    类型:2个P沟道(双)

    连续漏极电流:3.7A

    阈值电压:1V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP320SH6327XTSA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP320SH6327XTSA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP320SH6327XTSA1

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:2.9A

    漏源电压:60V

    栅极电荷:12nC@10V

    功率:1.8W

    导通电阻:120mΩ@2.9A,10V

    输入电容:340pF@25V

    阈值电压:4V@20µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11DN8TA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11DN8TA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):500psc

    规格型号(MPN):ZXMN6A11DN8TA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    导通电阻:120mΩ@2.5A,10V

    功率:1.8W

    输入电容:330pF@40V

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:2.5A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SVTQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SVTQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6110SVTQ-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:7.3A

    漏源电压:60V

    栅极电荷:17.2nC@10V

    功率:1.8W

    类型:P沟道

    输入电容:969pF@30V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:105mΩ@4.5A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP613PH6327XTSA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP613PH6327XTSA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP613PH6327XTSA1

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:33nC@10V

    连续漏极电流:2.9A

    漏源电压:60V

    输入电容:875pF@25V

    功率:1.8W

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@1mA

    导通电阻:130mΩ@2.9A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SVTQ-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SVTQ-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6110SVTQ-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:7.3A

    漏源电压:60V

    栅极电荷:17.2nC@10V

    功率:1.8W

    类型:P沟道

    输入电容:969pF@30V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:105mΩ@4.5A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP315PH6327XTSA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP315PH6327XTSA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP315PH6327XTSA1

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:7.8nC@10V

    连续漏极电流:1.17A

    漏源电压:60V

    功率:1.8W

    类型:P沟道

    阈值电压:2V@160µA

    ECCN:EAR99

    导通电阻:800mΩ@1.17A,10V

    输入电容:160pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP613PH6327XTSA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP613PH6327XTSA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP613PH6327XTSA1

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:33nC@10V

    连续漏极电流:2.9A

    漏源电压:60V

    输入电容:875pF@25V

    功率:1.8W

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@1mA

    导通电阻:130mΩ@2.9A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP295H6327XTSA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP295H6327XTSA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP295H6327XTSA1

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:17nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    阈值电压:1.8V@400µA

    连续漏极电流:1.8A

    功率:1.8W

    输入电容:368pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP613PH6327XTSA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP613PH6327XTSA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP613PH6327XTSA1

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:33nC@10V

    连续漏极电流:2.9A

    漏源电压:60V

    输入电容:875pF@25V

    功率:1.8W

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@1mA

    导通电阻:130mΩ@2.9A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    栅极电荷:27nC@10V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:6.2A

    功率:1.8W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A18DN8TA 起订250个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A18DN8TA 起订250个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):500psc

    规格型号(MPN):ZXMP6A18DN8TA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1580pF@30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:55mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    功率:1.8W

    类型:2个P沟道(双)

    连续漏极电流:3.7A

    阈值电压:1V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    栅极电荷:27nC@10V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:6.2A

    功率:1.8W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A25DN8TA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A25DN8TA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):500psc

    规格型号(MPN):ZXMN6A25DN8TA

    输入电容:1063pF@30V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:3.8A

    功率:1.8W

    导通电阻:50mΩ@3.6A,10V

    阈值电压:1V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6066SSD-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6066SSD-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6066SSD-13

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:10.3nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:66mΩ@4.5A,10V

    类型:N-Channel

    漏源电压:60V

    输入电容:502pF@30V

    功率:1.8W

    连续漏极电流:4.4A

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11DN8TA 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11DN8TA 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):500psc

    规格型号(MPN):ZXMN6A11DN8TA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    导通电阻:120mΩ@2.5A,10V

    功率:1.8W

    输入电容:330pF@40V

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:2.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP613PH6327XTSA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP613PH6327XTSA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP613PH6327XTSA1

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:33nC@10V

    连续漏极电流:2.9A

    漏源电压:60V

    输入电容:875pF@25V

    功率:1.8W

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@1mA

    导通电阻:130mΩ@2.9A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP613PH6327XTSA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP613PH6327XTSA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP613PH6327XTSA1

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:33nC@10V

    连续漏极电流:2.9A

    漏源电压:60V

    输入电容:875pF@25V

    功率:1.8W

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@1mA

    导通电阻:130mΩ@2.9A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6066SSD-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6066SSD-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6066SSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:502pF@30V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:N-Channel

    导通电阻:66mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SVTQ-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SVTQ-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6110SVTQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:969pF@30V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    加购:5
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