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    包装方式: 卷带(TR)
    功率: 625mW
    行业应用: 工业
    工作温度: -55℃~150℃
    漏源电压: 20V
    当前匹配商品:100+
    商品信息
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1403BDL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:0.9A

    类型:P-Channel

    导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDY301NZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDY301NZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY301NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTC 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTC 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61N02FTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:303pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDY300NZ 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDY300NZ 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY300NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTC
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTC

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61N02FTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:303pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:303pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:21
    onsemi Mosfet场效应管 FDY102PZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDY102PZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY102PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:3.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@10V

    连续漏极电流:830mA

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTC
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTC

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61N02FTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B01FTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B01FTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2B01FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:370pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B01FTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B01FTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2B01FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:370pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:200
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B01FTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B01FTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2B01FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:370pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:200
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:0.9A

    类型:P-Channel

    导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDY102PZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDY102PZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY102PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@10V

    连续漏极电流:830mA

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:303pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1200
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:0.9A

    类型:P-Channel

    导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:303pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61N02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N-Channel

    导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61N02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N-Channel

    导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61N02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N-Channel

    导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:0.9A

    类型:P-Channel

    导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTC
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTC

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61N02FTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61N02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N-Channel

    导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61N02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N-Channel

    导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTA 起订6000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTA 起订6000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61N02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    加购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:303pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    加购:25
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:303pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTC
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTC

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61N02FTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
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