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    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ18N10S5L420ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ18N10S5L420ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ18N10S5L420ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:2.2V@8µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AMPLEON Mosfet场效应管 BLP15H9S30Z 起订1个装
    AMPLEON Mosfet场效应管 BLP15H9S30Z 起订1个装

    品牌:AMPLEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BLP15H9S30Z

    功率:30W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD1NK60T4 起订8个装
    ST Mosfet场效应管 STD1NK60T4 起订8个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD1NK60T4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:3.7V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:156pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ18N10S5L420ATMA1 起订464个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ18N10S5L420ATMA1 起订464个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":1820,"20+":1940,"22+":4241,"23+":11785}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ18N10S5L420ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:2.2V@8µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C471NLWFTAG 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C471NLWFTAG 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5C471NLWFTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:2.2V@20µA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:41A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ20N08S5L300ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ20N08S5L300ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ20N08S5L300ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:2V@8µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:599pF@40V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3N40TM 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3N40TM 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3N40TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@1A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD17NF03LT4 起订8个装
    ST Mosfet场效应管 STD17NF03LT4 起订8个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD17NF03LT4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:6.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AMPLEON Mosfet场效应管 BLP15H9S30Z 起订1个装
    AMPLEON Mosfet场效应管 BLP15H9S30Z 起订1个装

    品牌:AMPLEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BLP15H9S30Z

    功率:30W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R600P7SAUMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R600P7SAUMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R600P7SAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:363pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R600P7SE8228AUMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R600P7SE8228AUMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R600P7SE8228AUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:363pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订2个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订2个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@360µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R600P7SAUMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R600P7SAUMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R600P7SAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@80µA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:363pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R600P7SAUMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R600P7SAUMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R600P7SAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:363pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD6NF10T4 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STD6NF10T4 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD6NF10T4

    工作温度:-65℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD12NF06T4 起订15个装
    ST Mosfet场效应管 STD12NF06T4 起订15个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD12NF06T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R600P7ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R600P7ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R600P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@80µA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:363pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订100个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订100个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@360µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD1NK60T4 起订7个装
    ST Mosfet场效应管 STD1NK60T4 起订7个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD1NK60T4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:3.7V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:156pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ20N08S5L300ATMA1 起订1193个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ20N08S5L300ATMA1 起订1193个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":29882,"24+":8350}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ20N08S5L300ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:2V@8µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:599pF@40V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ18N10S5L420ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ18N10S5L420ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ18N10S5L420ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:2.2V@8µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R600P7ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R600P7ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R600P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@80µA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:363pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD17NF03LT4 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD17NF03LT4 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD17NF03LT4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:6.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD17NF03LT4 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STD17NF03LT4 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD17NF03LT4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:6.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R600P7SAUMA1 起订6个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R600P7SAUMA1 起订6个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R600P7SAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@80µA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:363pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD17NF03LT4 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STD17NF03LT4 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD17NF03LT4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:6.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD12NF06T4 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STD12NF06T4 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD12NF06T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R600P7ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R600P7ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R600P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@80µA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:363pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP201-TL-H 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP201-TL-H 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":3000,"17+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP201-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:30W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:985pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD1NK60T4 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STD1NK60T4 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD1NK60T4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:3.7V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:156pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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