品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFN8459TR
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:3.9V@50µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.9mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD4N60TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P03BBHTL1
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9214TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:3Ω@1.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":35000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC155N06NDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@30V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC155N06NDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@30V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM085P03CV RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3234pF@15V
连续漏极电流:64A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9310TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:7Ω@1.1A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L14AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2890pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13.7mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC80N04S6N036ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:3V@18µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1338pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.68mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9214TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:3Ω@1.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ12DN20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@25µA
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@100V
连续漏极电流:11.3A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@5.7A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2850}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP103-TL-H
工作温度:150℃
功率:50W
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2430pF@10V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@28A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD40151EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5340pF@20V
连续漏极电流:42A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@17.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC80N04S6L032ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2V@18µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.29mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7S10N1Z,LQ
工作温度:175℃
功率:50W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@3.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":7069,"23+":94567,"MI+":2111}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L14ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2890pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13.7mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD4N60TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M11-40HX
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1022pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7S10N1Z,LQ
工作温度:175℃
功率:50W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@3.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":76,"21+":4500}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ110N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3.8V@22µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@40V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9214TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:3Ω@1.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ300N10TL
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC70N04S54R6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:3.4V@17µA
栅极电荷:24.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":45984,"24+":27166}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ110N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3.8V@22µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@40V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N06S4L12ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2890pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":93000,"MI+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M11-40HX
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1345pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":67500,"23+":2500,"MI+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD04N60C3BTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3.9V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@2.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":44}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AFT18S230SR5
功率:50W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存: