采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：77000，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB47N10S33ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：175W
阈值电压：4V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB070AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：175W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：15A€80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT20N120H
工作温度：-55℃~200℃
功率：175W
阈值电压：3.5V@1mA
栅极电荷：45nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@10A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：77000，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB47N10S33ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：175W
阈值电压：4V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：77000，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB47N10S33ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：175W
阈值电压：4V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：77000，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB47N10S33ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：175W
阈值电压：4V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB070AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：175W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：15A€80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB070AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：175W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：15A€80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB070AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：175W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：15A€80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB070AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：175W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：15A€80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
