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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3310FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3310FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3320FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：60mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@100mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：330mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：330mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
特征频率：250MHz
功率：330mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP3306FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@18V
连续漏极电流：90mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1016UDWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@10V€59.76pF@16V
连续漏极电流：1.066A€ 845mA
类型：N和P沟道互补型
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS250FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：90mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：150µA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：330mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：330mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：330mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，2.5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：330mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：330mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
特征频率：250MHz
功率：330mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，2.5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：330mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：150µA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
特征频率：250MHz
功率：330mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG302PU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.2pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@200mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：330mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1016UDWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@10V€59.76pF@16V
连续漏极电流：1.066A€ 845mA
类型：N和P沟道互补型
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1016UDWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@10V€59.76pF@16V
连续漏极电流：1.066A€ 845mA
类型：N和P沟道互补型
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1016UDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@10V
连续漏极电流：1.07A€845mA
类型：N和P沟道
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3306FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@18V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP3310FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：75mA
类型：P沟道
导通电阻：20Ω@150mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN10LFTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN10LFTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：330mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1016UDWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@10V€59.76pF@16V
连续漏极电流：1.066A€ 845mA
类型：N和P沟道互补型
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
