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    INFINEON Mosfet场效应管 IRFHS8242TRPBF 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFHS8242TRPBF 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFHS8242TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:2.35V@25µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:653pF@10V

    连续漏极电流:9.9A€21A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N60CTF-WS 起订4000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N60CTF-WS 起订4000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N60CTF-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:170pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N60CTF-WS 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N60CTF-WS 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N60CTF-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:170pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UFDF-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UFDF-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2011UFDF-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2248pF@10V

    连续漏极电流:14.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFHS9301TRPBF 起订1212个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFHS9301TRPBF 起订1212个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFHS9301TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:2.4V@25µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@25V

    连续漏极电流:6A€13A

    类型:P沟道

    导通电阻:37mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFHS9301TRPBF 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFHS9301TRPBF 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFHS9301TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:2.4V@25µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@25V

    连续漏极电流:6A€13A

    类型:P沟道

    导通电阻:37mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD88539ND 起订9个装
    TI Mosfet场效应管 CSD88539ND 起订9个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD88539ND

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:741pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:28mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0589NSATMA1 起订1082个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0589NSATMA1 起订1082个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2260,"23+":6790}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0589NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD88537ND 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD88537ND 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD88537ND

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME905PT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.315nF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:22mΩ@4.5V,8A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UFDF-7 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UFDF-7 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2011UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2248pF@10V

    连续漏极电流:14.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@100mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFDF-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFDF-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@6V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFDF-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFDF-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@6V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ123N08NS3GATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ123N08NS3GATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ123N08NS3GATMA1

    功率:2.1W

    阈值电压:3.5V@33μA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:12.3mΩ@10V,20A

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME510PZT 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME510PZT 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME510PZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:37mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1005UFDF-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1005UFDF-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1005UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:47nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2475pF@6V

    连续漏极电流:26A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO6409 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AO6409 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO6409

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@10V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFDF-7 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFDF-7 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3025LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:13.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:641pF@15V

    连续漏极电流:9.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:20.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1005UFDF-7 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1005UFDF-7 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1005UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:47nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2475pF@6V

    连续漏极电流:26A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFDF-7 起订20个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFDF-7 起订20个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3025LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:13.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:641pF@15V

    连续漏极电流:9.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:20.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UFDF-13 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UFDF-13 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2011UFDF-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2248pF@10V

    连续漏极电流:14.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME905PT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.315nF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:22mΩ@4.5V,8A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042LFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042LFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3042LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6070SY-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6070SY-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6070SY-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:588pF@30V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UFDF-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UFDF-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2011UFDF-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2248pF@10V

    连续漏极电流:14.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4013SK3-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4013SK3-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4013SK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4004pF@20V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4013SK3-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4013SK3-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4013SK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4004pF@20V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042LFDF-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042LFDF-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3042LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6042SSDQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6042SSDQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6042SSDQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:584pF@25V

    连续漏极电流:16.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:50mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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