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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K5CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：49W
阈值电压：3.5V@90µA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD12N06RLESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：49W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@10V，18A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K5CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：49W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K5CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：49W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K5CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：49W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K5CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：49W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD12N06RLESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：49W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@10V，18A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K5CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：49W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K5CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：49W
阈值电压：3.5V@90µA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K5CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：49W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K5CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：49W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K5CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：49W
阈值电压：3.5V@90µA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC10H03A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：49W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3865pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K5CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：49W
阈值电压：3.5V@90µA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD12N06RLESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：49W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@10V，18A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC10H03A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：49W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3865pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD12N06RLESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：49W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@10V，18A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD12N06RLESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：49W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@10V，18A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD12N06RLESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：49W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@10V，18A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD12N06RLESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：49W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@10V，18A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD12N06RLESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：49W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@10V，18A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K5CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：49W
阈值电压：3.5V@90µA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD12N06RLESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：49W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@10V，18A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD12N06RLESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：49W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@10V，18A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC10H03A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：49W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3865pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K5CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：49W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K5CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：49W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD12N06RLESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：49W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@10V，18A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD12N06RLESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：49W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@10V，18A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K5CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：49W
阈值电压：3.5V@90µA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
