品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS420EN-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":220}
销售单位:个
规格型号(MPN):MRF19085LR3
功率:18W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
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库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":220}
销售单位:个
规格型号(MPN):MRF19085LR3
功率:18W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:2.1V@250µA
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输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:2.1V@250µA
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输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:2.1V@250µA
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输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":220}
销售单位:个
规格型号(MPN):MRF19085LR3
功率:18W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS420EN-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS420EN-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS420EN-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R3K3P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:18W
阈值电压:3.5V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@500V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:3.3Ω@590mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS420EN-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS420EN-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R3K3P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:18W
阈值电压:3.5V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@500V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:3.3Ω@590mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R3K3P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:18W
阈值电压:3.5V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@500V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:3.3Ω@590mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
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输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":220}
销售单位:个
规格型号(MPN):MRF19085LR3
功率:18W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: