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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ30S06M3L(T6L1，NQ
工作温度：175℃
功率：68W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3950pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：21.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP29N06QUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€44W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3080KW7TL
工作温度：175℃
功率：159W
阈值电压：5.6V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@10A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP29N06QUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€44W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
工作温度：175℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ30S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：68W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3950pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：21.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP30N04QUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€59W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL30P3LLH6
工作温度：175℃
功率：75W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ30S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：68W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3950pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：21.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL30P3LLH6
工作温度：175℃
功率：75W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL30P3LLH6
工作温度：175℃
功率：75W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3080KW7TL
工作温度：175℃
功率：159W
阈值电压：5.6V@5mA
栅极电荷：60nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@10A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP29N06QUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€44W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP29N04QUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€44W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP29N04QUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€44W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP29N04QUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€44W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3080KW7TL
工作温度：175℃
功率：159W
阈值电压：5.6V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@10A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL30P3LLH6
工作温度：175℃
功率：75W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP30N04QUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€59W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ30S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：68W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3950pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：21.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ30S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：68W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3950pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：21.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
工作温度：175℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP30N04QUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€59W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP30N04QUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€59W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP29N06QUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€44W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3080KW7TL
工作温度：175℃
功率：159W
阈值电压：5.6V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@10A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ30S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：68W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3950pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：21.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP29N04QUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€44W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
工作温度：175℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP29N04QUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€44W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
